EFCH1960TCA1是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工藝設(shè)�,適用于高效�、低損耗的應用場景。該器件主要針對開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應用�(lǐng)�,提供出色的導通特性和開關(guān)性能�
這款芯片屬于N溝道增強型MOSFET,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�85nC
輸入電容�2400pF
總功耗:30W
工作溫度范圍�-55℃至175�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導損��
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操�,適合高效能�(shè)��
3. �(yōu)化的熱性能,能夠承受較高的�(jié)溫�
4. 強固的設(shè)計結(jié)�(gòu),具備良好的抗雪崩能力和短路耐受能力�
5. 小型化的封裝形式,便于在緊湊空間�(nèi)進行布局�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控制模��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載開�(guān)�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護和切換功��
6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)控制的應用場景�
IRFZ44N
STP25NF06
FDP18N06L