EEEFTE221XAP是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率并減少熱損耗。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負載切換等場景。
該型號屬于增強型N溝道MOSFET系列,其優(yōu)化的柵極電荷和輸出電容使其在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,同時支持較高的持續(xù)電流能力。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:40A
導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷:85nC
總電容:1350pF
工作溫度范圍:-55℃至175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗。
2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計,減少了驅(qū)動損耗。
4. 高雪崩能量能力,增強了器件的魯棒性。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛封裝。
6. 小型化設(shè)計,便于緊湊型電路布局。
7. 提供卓越的熱穩(wěn)定性和可靠性,在極端溫度下仍能保持高性能。
EEEFTE221XAP適用于各種高功率密度的電子系統(tǒng),包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率級控制。
3. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)動。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換。
5. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和電動車充電模塊中的功率轉(zhuǎn)換。
6. 通信電源和不間斷電源(UPS)中的高效能量管理方案。
IRF2807, FDP55N06L, STP55NF06