EEC-HW0D706是一種高性能的功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制�(lǐng)�。該器件采用先進的制造工藝,在提供高效率的同�,確保了較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度。其封裝形式通常為TO-220或TO-252,適用于高電流和高電壓場景�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
功耗:180W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
EEC-HW0D706具有低導(dǎo)通電阻的特點,可以顯著減少傳�(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)效率。同時,它具備快速開�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻開關(guān)�(yīng)用環(huán)��
此外,該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力(ESD�,并支持脈沖電流遠超其額定連續(xù)電流,非常適合峰值功率需求較高的場合�
EEC-HW0D706采用了優(yōu)化的芯片�(shè)�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)定性,適合惡劣�(huán)境下的使��
EEC-HW0D706主要�(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、電動工�、家用電器中的電機驅(qū)動電�、不間斷電源(UPS)系�(tǒng)以及工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理模��
由于其高電流處理能力和快速開�(guān)特性,也常用于LED照明�(qū)�、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中�
IRFZ44N
FDP5570
STP30NF06