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EEC-HW0D706 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 12:14:05 查看 閱讀�32

EEC-HW0D706是一種高性能的功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制�(lǐng)�。該器件采用先進的制造工藝,在提供高效率的同�,確保了較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度。其封裝形式通常為TO-220或TO-252,適用于高電流和高電壓場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  功耗:180W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

EEC-HW0D706具有低導(dǎo)通電阻的特點,可以顯著減少傳�(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)效率。同時,它具備快速開�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻開關(guān)�(yīng)用環(huán)��
  此外,該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力(ESD�,并支持脈沖電流遠超其額定連續(xù)電流,非常適合峰值功率需求較高的場合�
  EEC-HW0D706采用了優(yōu)化的芯片�(shè)�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)定性,適合惡劣�(huán)境下的使��

�(yīng)�

EEC-HW0D706主要�(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、電動工�、家用電器中的電機驅(qū)動電�、不間斷電源(UPS)系�(tǒng)以及工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理模��
  由于其高電流處理能力和快速開�(guān)特性,也常用于LED照明�(qū)�、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中�

替代型號

IRFZ44N
  FDP5570
  STP30NF06

eec-hw0d706推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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eec-hw0d706參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表EEC-HW Series View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別電容�
  • 家庭雙電�,超級電容器
  • 系列HW
  • 電容70F
  • 電壓 - 額定2.1V
  • 容差-20%�+40%
  • ESR(等效串�(lián)電阻�100 毫歐
  • 壽命@溫度60°C 時為 1000 小時
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼徑向,Can
  • 引線間隔0.295"�7.50mm�
  • 包裝散裝
  • 尺寸/尺寸0.709" 直徑�18.00mm�
  • 高度 - 座高(最大)2.047"�52.00mm�
  • 工作溫度-25°C ~ 60°C
  • 其它名稱EECHW0D706P11349