EDZVT2R4.3B 是一款氮化鎵 (GaN) 基礎(chǔ)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),采用先�(jìn)的封裝技�(shù)�(shè)�(jì),適用于高頻、高效能�(yīng)用場�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合用于功率轉(zhuǎn)換器、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及新能源汽車相關(guān)的電源管理系�(tǒng)�
EDZVT2R4.3B 的核心優(yōu)勢在于其高效的能量轉(zhuǎn)換能力和減少的能量損耗特性,這使得它成為下一代電源管理解決方案的理想選擇�
型號(hào):EDZVT2R4.3B
類型:GaN HEMT
額定電壓�650 V
額定電流�10 A
�(dǎo)通電阻:4.3 mΩ
柵極電荷�45 nC
反向恢復(fù)�(shí)間:無(� GaN �(jié)�(gòu)無反向恢�(fù)問題�
工作溫度范圍�-55� � +175�
EDZVT2R4.3B 具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高�(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,從而實(shí)�(xiàn)更小體積的磁性元件設(shè)�(jì)�
3. 無反向恢�(fù)問題,簡化了電路�(shè)�(jì)并�(jìn)一步提高了效率�
4. 高溫�(wěn)定性,在極端溫度條件下仍能保持�(yōu)異的性能�
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),有助于減少整體 PCB 占用空間�
6. 與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,具有更高的功率密度和更低的能量損耗�
EDZVT2R4.3B 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
3. 新能源汽車中的車載充電器 (OBC) � DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 工業(yè)�(jí)電源
5. 無線充電系統(tǒng)
6. �(shù)�(jù)中心電源模塊
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器
8. 光伏逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(shè)�
EPC2016C, Infineon CoolGaN 600V 系列