日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > EDZVT2R4.3B

EDZVT2R4.3B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 14:10:41 查看 閱讀�24

EDZVT2R4.3B 是一款氮化鎵 (GaN) 基礎(chǔ)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),采用先�(jìn)的封裝技�(shù)�(shè)�(jì),適用于高頻、高效能�(yīng)用場�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合用于功率轉(zhuǎn)換器、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及新能源汽車相關(guān)的電源管理系�(tǒng)�
  EDZVT2R4.3B 的核心優(yōu)勢在于其高效的能量轉(zhuǎn)換能力和減少的能量損耗特性,這使得它成為下一代電源管理解決方案的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):EDZVT2R4.3B
  類型:GaN HEMT
  額定電壓�650 V
  額定電流�10 A
  �(dǎo)通電阻:4.3 mΩ
  柵極電荷�45 nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:無(� GaN �(jié)�(gòu)無反向恢�(fù)問題�
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

EDZVT2R4.3B 具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,支持高�(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,從而實(shí)�(xiàn)更小體積的磁性元件設(shè)�(jì)�
  3. 無反向恢�(fù)問題,簡化了電路�(shè)�(jì)并�(jìn)一步提高了效率�
  4. 高溫�(wěn)定性,在極端溫度條件下仍能保持�(yōu)異的性能�
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),有助于減少整體 PCB 占用空間�
  6. 與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,具有更高的功率密度和更低的能量損耗�

�(yīng)�

EDZVT2R4.3B 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
  2. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
  3. 新能源汽車中的車載充電器 (OBC) � DC-DC �(zhuǎn)換器
  4. 工業(yè)�(jí)電源
  5. 無線充電系統(tǒng)
  6. �(shù)�(jù)中心電源模塊
  7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器
  8. 光伏逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(shè)�

替代型號(hào)

EPC2016C, Infineon CoolGaN 600V 系列

edzvt2r4.3b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

edzvt2r4.3b資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

edzvt2r4.3b�(chǎn)�

edzvt2r4.3b參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,000�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �2.23000剪切帶(CT�8,000 : �0.34391卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz)4.3 V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大�150 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)100 Ohms
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏5 μA @ 1 V
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)-
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼SC-79,SOD-523
  • 供應(yīng)商器件封�EMD2