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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > EDZVT2R2.0B

EDZVT2R2.0B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 17:00:26 查看 閱讀�29

EDZVT2R2.0B是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�。該器件具有高開(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率等特�,廣泛應(yīng)用于電源管理�(lǐng)域中的高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換等�(chǎng)��
  相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,EDZVT2R2.0B能夠顯著減少�(kāi)�(guān)損�,并提升功率密度。它采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),適合在緊湊型設(shè)�(jì)中使��

參數(shù)

型號(hào):EDZVT2R2.0B
  �(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.0毫歐姆(典型�,Vgs=5V�
  額定電壓(Vds):600V
  最大電流(Id):30A
  柵極電荷(Qg):30nC(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C
  封裝形式:TO-247

特�

EDZVT2R2.0B的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,確保了高效的功率傳輸和較低的�(dǎo)通損��
  2. 高額定電�,適用于多種高壓�(yīng)用環(huán)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力,減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失,提高了系�(tǒng)整體效率�
  4. 熱性能�(yōu)�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
  5. 集成了先�(jìn)的保�(hù)功能,例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�
  6. 封裝形式�(jiān)固耐用,易于安裝和集成到現(xiàn)有的電路板設(shè)�(jì)中�
  這些特性使得EDZVT2R2.0B成為需要高性能和高效率的電源管理系�(tǒng)中的理想選擇�

�(yīng)�

EDZVT2R2.0B適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
  2. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. �(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)�
  5. 太陽(yáng)能逆變�
  6. 電動(dòng)汽車(chē)充電�(shè)�
  7. 工業(yè)自動(dòng)化控�
  由于其卓越的效率和熱性能,EDZVT2R2.0B特別適合�(duì)功率密度和能耗有�(yán)格要求的�(chǎng)合�

替代型號(hào)

EDZVT2R3.0B, EDZVT2R4.0B

edzvt2r2.0b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • �(xún)�(jià)

edzvt2r2.0b資料 更多>

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edzvt2r2.0b參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,058�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �2.23000剪切帶(CT�8,000 : �0.34391卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)�(chēng)值)(Vz)2 V
  • 容差-
  • 功率 - 最大�150 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)100 Ohms
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏120 μA @ 500 mV
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)-
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼SC-79,SOD-523
  • 供應(yīng)商器件封�EMD2