EDZVT2R2.0B是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�。該器件具有高開(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率等特�,廣泛應(yīng)用于電源管理�(lǐng)域中的高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換等�(chǎng)��
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,EDZVT2R2.0B能夠顯著減少�(kāi)�(guān)損�,并提升功率密度。它采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),適合在緊湊型設(shè)�(jì)中使��
型號(hào):EDZVT2R2.0B
�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.0毫歐姆(典型�,Vgs=5V�
額定電壓(Vds):600V
最大電流(Id):30A
柵極電荷(Qg):30nC(典型值)
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
封裝形式:TO-247
EDZVT2R2.0B的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,確保了高效的功率傳輸和較低的�(dǎo)通損��
2. 高額定電�,適用于多種高壓�(yīng)用環(huán)��
3. 快速開(kāi)�(guān)能力,減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失,提高了系�(tǒng)整體效率�
4. 熱性能�(yōu)�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
5. 集成了先�(jìn)的保�(hù)功能,例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�
6. 封裝形式�(jiān)固耐用,易于安裝和集成到現(xiàn)有的電路板設(shè)�(jì)中�
這些特性使得EDZVT2R2.0B成為需要高性能和高效率的電源管理系�(tǒng)中的理想選擇�
EDZVT2R2.0B適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
2. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
4. �(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)�
5. 太陽(yáng)能逆變�
6. 電動(dòng)汽車(chē)充電�(shè)�
7. 工業(yè)自動(dòng)化控�
由于其卓越的效率和熱性能,EDZVT2R2.0B特別適合�(duì)功率密度和能耗有�(yán)格要求的�(chǎng)合�
EDZVT2R3.0B, EDZVT2R4.0B