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EDZTE6127B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 9:08:52 查看 閱讀�23

EDZTE6127B是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低功耗應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于各種電源管理�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)�。EDZTE6127B的封裝形式通常為SOP-8,有助于提高散熱性能并減少寄生電感的影響�
  這款MOSFET具備增強(qiáng)型結(jié)�(gòu)(Enhancement Mode�,僅在柵極電壓高于特定閾值時(shí)�(dǎo)通,從而實(shí)�(xiàn)精確的控制功�。其卓越的電氣特性和可靠性使其成為眾多工�(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)域中的理想選擇�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  耐壓�60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值)
  柵極電荷�25nC(最大值)
  輸入電容�1200pF
  總功耗:25W
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:SOP-8

特�

EDZTE6127B具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適用于開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 高雪崩能量承受能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
  4. SOP-8封裝提供了良好的熱性能和電氣連接,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
  5. 柵極�(qū)�(dòng)要求較低,便于與各類控制器或�(qū)�(dòng)IC配合使用�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛工藝制造�

�(yīng)�

EDZTE6127B廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)元件�
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓、升壓或反激式拓?fù)�?br>  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和電磁閥控制�
  5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的充電器和適配器�(shè)�(jì)�
  6. 可再生能源系�(tǒng)的逆變器和功率�(diào)節(jié)模塊�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP5500

edzte6127b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

edzte6127b資料 更多>

  • 型號(hào)
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edzte6127b參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/齊納
  • 系列-
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz)27V
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)-
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電100nA @ 21V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最�150mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)150 歐姆
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-79,SOD-523
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�EMD2
  • 包裝Digi-Reel®
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 其它名稱EDZTE6127BDKR