EDZTE6127B是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低功耗應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于各種電源管理�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)�。EDZTE6127B的封裝形式通常為SOP-8,有助于提高散熱性能并減少寄生電感的影響�
這款MOSFET具備增強(qiáng)型結(jié)�(gòu)(Enhancement Mode�,僅在柵極電壓高于特定閾值時(shí)�(dǎo)通,從而實(shí)�(xiàn)精確的控制功�。其卓越的電氣特性和可靠性使其成為眾多工�(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)域中的理想選擇�
類型:N-Channel MOSFET
耐壓�60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值)
柵極電荷�25nC(最大值)
輸入電容�1200pF
總功耗:25W
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:SOP-8
EDZTE6127B具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適用于開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 高雪崩能量承受能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
4. SOP-8封裝提供了良好的熱性能和電氣連接,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
5. 柵極�(qū)�(dòng)要求較低,便于與各類控制器或�(qū)�(dòng)IC配合使用�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛工藝制造�
EDZTE6127B廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)元件�
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓、升壓或反激式拓?fù)�?br> 3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和電磁閥控制�
5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的充電器和適配器�(shè)�(jì)�
6. 可再生能源系�(tǒng)的逆變器和功率�(diào)節(jié)模塊�
IRFZ44N
STP30NF06
FDP5500