EDW4032BABG-70-F-D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的場(chǎng)景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高效率的工作性能。其封裝形式為表面貼裝器件(SMD�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)流程,廣泛用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種工業(yè)�(yīng)用中�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,能夠在高頻開關(guān)條件下保持較低的功�,并具備出色的熱性能表現(xiàn)�
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電� Vds�70V
最大柵源電� Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流 Id�32A
�(dǎo)通電� Rds(on)�1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷 Qg�65nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)� trr�48ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:BGA
EDW4032BABG-70-F-D 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能力(Id=32A�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)��
4. 緊湊� BGA 封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
5. �(yōu)秀的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. 寬工作溫度范圍(-55� � +175℃),適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
EDW4032BABG-70-F-D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電��
3. 太陽能逆變器的核心功率開關(guān)元件�
4. 電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
6. 其他需要高效功率開�(guān)的工�(yè)與消�(fèi)電子�(shè)��
EDW4032BAFG-70-F-D, IRF7739TRPBF, FDP170N07L