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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > EDW4032BABG-70-F-D

EDW4032BABG-70-F-D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 8:53:13 查看 閱讀�23

EDW4032BABG-70-F-D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的場(chǎng)景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高效率的工作性能。其封裝形式為表面貼裝器件(SMD�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)流程,廣泛用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種工業(yè)�(yīng)用中�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,能夠在高頻開關(guān)條件下保持較低的功�,并具備出色的熱性能表現(xiàn)�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電� Vds�70V
  最大柵源電� Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流 Id�32A
  �(dǎo)通電� Rds(on)�1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷 Qg�65nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)� trr�48ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:BGA

特�

EDW4032BABG-70-F-D 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力(Id=32A�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)��
  4. 緊湊� BGA 封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
  5. �(yōu)秀的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 寬工作溫度范圍(-55� � +175℃),適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

EDW4032BABG-70-F-D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電��
  3. 太陽能逆變器的核心功率開關(guān)元件�
  4. 電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  5. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  6. 其他需要高效功率開�(guān)的工�(yè)與消�(fèi)電子�(shè)��

替代型號(hào)

EDW4032BAFG-70-F-D, IRF7739TRPBF, FDP170N07L

edw4032babg-70-f-d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

edw4032babg-70-f-d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類�易失
  • 存儲(chǔ)器格�RAM
  • 技�(shù)SGRAM - GDDR5
  • 存儲(chǔ)容量4Gb
  • 存儲(chǔ)器組�128M x 32
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�1.75 GHz
  • 寫周期時(shí)� - �,頁-
  • 訪問�(shí)�-
  • 電壓 - 供電1.31V ~ 1.65V
  • 工作溫度0°C ~ 95°C(TC�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼170-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�170-FBGA�12x14�