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ECVAS321605C30582NBT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 12:25:57 查看 閱讀：9

ECVAS321605C30582NBT 是一款高性能的功率 MOSFET、低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，適用于多種電源管理應(yīng)用，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等。其封裝形式適合表面貼裝技術(shù) (SMT)，便于自動(dòng)化生產(chǎn)。

參數(shù)

類型：MOSFET
　　極性：N溝道
　　漏源電壓(Vds)：30V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：58A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.8mΩ
　　柵極電荷(Qg)：49nC
　　總功耗(Ptot)：15W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝：TO-Leadless

特性

ECVAS321605C30582NBT 的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和出色的熱性能。這使得它在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠提供更高的效率并減少熱量積累。
　　此外，其高電流承載能力 (Id = 58A) 和穩(wěn)健的設(shè)計(jì)使其非常適合需要大功率處理的應(yīng)用環(huán)境。芯片還具備快速開(kāi)關(guān)特性，有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，并且能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
　　該器件采用無(wú)引線封裝，不僅節(jié)省了空間，還提高了電氣性能和散熱效率。

應(yīng)用

這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)類電子領(lǐng)域，包括但不限于：
　　- 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
　　- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　- 汽車電子系統(tǒng)
　　- 工業(yè)控制
　　- 大功率負(fù)載開(kāi)關(guān)
　　由于其優(yōu)異的性能和可靠性，ECVAS321605C30582NBT 成為許多高要求應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。

替代型號(hào)

ECVAS321605C30582GBT
　　ECVAS321605C30582NCT
　　IRFZ44N
　　FDP5800

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