E-L6219DS013TR 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件適用于高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�,廣泛用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、工�(yè)控制等領(lǐng)��
此芯片具有低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等優(yōu)�(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
類型:N溝道 MOSFET
封裝形式:TO-252 (DPAK)
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�34A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
柵極電荷(Qg)�27nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=18ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
E-L6219DS013TR 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
3. 較低的柵極電荷(Qg),可降低驅(qū)�(dòng)損耗�
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,允許在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
5. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
這些特點(diǎn)使該芯片非常適合�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理系統(tǒng)等場(chǎng)��
E-L6219DS013TR 可應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
3. 汽車電子系統(tǒng)
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. LED 照明�(qū)�(dòng)
6. 電池保護(hù)電路
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)�
L6219D, IRF6219, FDP6219