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E-L6219DS013TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 17:07:16 查看 閱讀�6

E-L6219DS013TR 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件適用于高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�,廣泛用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、工�(yè)控制等領(lǐng)��
  此芯片具有低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等優(yōu)�(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�34A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
  柵極電荷(Qg)�27nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=18ns
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

E-L6219DS013TR 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
  3. 較低的柵極電荷(Qg),可降低驅(qū)�(dòng)損耗�
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,允許在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
  5. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  這些特點(diǎn)使該芯片非常適合�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理系統(tǒng)等場(chǎng)��

�(yīng)�

E-L6219DS013TR 可應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  3. 汽車電子系統(tǒng)
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  5. LED 照明�(qū)�(dòng)
  6. 電池保護(hù)電路
  7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)�

替代型號(hào)

L6219D, IRF6219, FDP6219

e-l6219ds013tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

e-l6219ds013tr資料 更多>

  • 型號(hào)
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e-l6219ds013tr參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件L6219 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - 電機(jī)和風(fēng)扇控制器,驅(qū)�(dòng)�
  • 系列-
  • �(yīng)�直流電機(jī)�(qū)�(dòng)�,步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  • �(píng)估套�-
  • 輸出�(shù)2/1
  • 電流 - 輸出750mA
  • 電壓 - �(fù)�10 V ~ 46 V
  • 電源電壓4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼24-SOIC�0.295"�7.50mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�24-SO
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱497-3647-6