DTC144EMGT2L 是一種基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于高功率密�、高效能的電力電子系�(tǒng)。該器件具有�(yōu)異的�(kāi)�(guān)性能和導(dǎo)通特�,能夠在高頻工作條件下保持低損耗。DTC144EMGT2L 的設(shè)�(jì)使其非常適合電動(dòng)汽車、太�(yáng)能逆變器、不間斷電源 (UPS) 和工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��
其封裝形式為 TO-247-4,提供更高的熱性能和電氣穩(wěn)定�,同�(shí)支持更便捷的電路板安��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�80A
柵極閾值電壓:3.5V
�(dǎo)通電阻:16mΩ
�(kāi)�(guān)頻率范圍:最高可�(dá) 100kHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:TO-247-4
DTC144EMGT2L 的主要特�(diǎn)是采用了先�(jìn)� SiC MOSFET 技�(shù),這使得它在高頻開(kāi)�(guān)條件下表�(xiàn)出顯著的低損耗特�。與傳統(tǒng)的硅� IGBT � MOSFET 相比,DTC144EMGT2L 提供更低的導(dǎo)通電阻和更快的開(kāi)�(guān)速度,從而有效減少能量損耗并提升效率�
此外,該芯片具有較高的耐壓能力�1200V�,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)�。同�(shí),由于其寬禁帶半�(dǎo)體材料的特性,DTC144EMGT2L 能夠在高�(dá) 175� 的結(jié)溫下可靠�(yùn)�,這對(duì)于高溫環(huán)境下的應(yīng)用尤為重��
DTC144EMGT2L 還具備短路保�(hù)功能,在短時(shí)間內(nèi)承受�(guò)流而不損壞,�(jìn)一步提高了系統(tǒng)的安全性和可靠��
DTC144EMGT2L 主要�(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場(chǎng)景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 電動(dòng)汽車 (EV) 充電樁和牽引逆變�
2. 太陽(yáng)能光伏逆變�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 不間斷電� (UPS)
5. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
6. �(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)裝置
這些�(yīng)用得益于 SiC MOSFET 的高效開(kāi)�(guān)特性和高溫工作能力,能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提高整體性能�
DTC144EMGT2H, DTC144EMGT2K