DTC123JET1G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能。此�,DTC123JET1G還具備優(yōu)異的熱特性和可靠性,適合在嚴(yán)苛環(huán)境下使用�
類型:N-Channel MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
漏源極擊穿電壓(BVDSS):60V
連續(xù)漏極電流(Id):120A
柵極電荷(Qg):80nC
總電容(Ciss):3500pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
DTC123JET1G采用了先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),顯著降低了�(dǎo)通電�,從而提升了整體效率�
該器件具備快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗,并且其出色的熱性能確保了在高溫�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
此外,DTC123JET1G還具有良好的短路耐受能力,�(jìn)一步增�(qiáng)了系�(tǒng)的安全性與可靠��
由于其優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),這款MOSFET能夠承受較高的電流負(fù)�,非常適合用于大功率�(yīng)用場合�
DTC123JET1G廣泛�(yīng)用于各類電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流�
- 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控�
- 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切�
- 大功率LED�(qū)�(dòng)器中的關(guān)鍵組�
憑借其卓越的性能和可靠性,這款器件已成為許多高要求�(yīng)用的理想選擇�
DTC124JET1G, DTC123JET2G, IRF123