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DTA114YMT2L 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 17:25:31 查看 閱讀�30

DTA114YMT2L是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用TO-252封裝形式。該器件主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。其�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,適用于需要高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��
  該器件具有良好的熱穩(wěn)定性和電氣特�,在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)。同�(shí),它符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),適合環(huán)保要求嚴(yán)格的�(xiàn)代電子設(shè)備�

參數(shù)

型號(hào):DTA114YMT2L
  封裝:TO-252
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
  ID(持�(xù)漏電流)�78A
  fT(特征頻率)�3.1MHz
  Qg(總柵極電荷):90nC
  VGS(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�2~4V
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55℃~175�

特�

DTA114YMT2L采用了先�(jìn)的生�(chǎn)工藝以實(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)�(guān)能力。其RDS(on)僅為4.5mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損�,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
  此外,該器件具備較高的持�(xù)漏電流容量(78A�,能夠支持大電流�(yīng)用需�。同�(shí),它的特征頻率fT�(dá)�3.1MHz,表明其在高頻開(kāi)�(guān)電路中也有較好的表現(xiàn)�
  為了滿足不同工況下的使用需求,DTA114YMT2L的工作結(jié)溫范圍寬廣,�-55℃到175�,確保在極端溫度條件下的可靠性�
  最�,器件的總柵極電荷較低,有助于減少開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失并提升�(dòng)�(tài)性能�

�(yīng)�

DTA114YMT2L廣泛用于各類電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS):作為主�(kāi)�(guān)管或同步整流�,提高電源轉(zhuǎn)換效��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為直流�(wú)刷電�(jī)或其他類型電�(jī)提供高效的驅(qū)�(dòng)能力�
  3. 工業(yè)控制:如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)�
  4. 汽車電子:適用于車載電子系統(tǒng)中的大電流控制模��
  5. 能量管理:例如電池管理系�(tǒng)(BMS)中的充放電路徑控制�

替代型號(hào)

DTA114EVT2L, IRFZ44N, FDP5500

dta114ymt2l推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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dta114ymt2l參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝8,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP - �(yù)偏壓
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)68 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 250µA�5mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-723
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�VMT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DTA114YMT2LTR