DTA114YMT2L是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用TO-252封裝形式。該器件主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。其�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,適用于需要高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��
該器件具有良好的熱穩(wěn)定性和電氣特�,在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)。同�(shí),它符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),適合環(huán)保要求嚴(yán)格的�(xiàn)代電子設(shè)備�
型號(hào):DTA114YMT2L
封裝:TO-252
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
ID(持�(xù)漏電流)�78A
fT(特征頻率)�3.1MHz
Qg(總柵極電荷):90nC
VGS(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�2~4V
Tj(結(jié)溫范圍)�-55℃~175�
DTA114YMT2L采用了先�(jìn)的生�(chǎn)工藝以實(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)�(guān)能力。其RDS(on)僅為4.5mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損�,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
此外,該器件具備較高的持�(xù)漏電流容量(78A�,能夠支持大電流�(yīng)用需�。同�(shí),它的特征頻率fT�(dá)�3.1MHz,表明其在高頻開(kāi)�(guān)電路中也有較好的表現(xiàn)�
為了滿足不同工況下的使用需求,DTA114YMT2L的工作結(jié)溫范圍寬廣,�-55℃到175�,確保在極端溫度條件下的可靠性�
最�,器件的總柵極電荷較低,有助于減少開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失并提升�(dòng)�(tài)性能�
DTA114YMT2L廣泛用于各類電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS):作為主�(kāi)�(guān)管或同步整流�,提高電源轉(zhuǎn)換效��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為直流�(wú)刷電�(jī)或其他類型電�(jī)提供高效的驅(qū)�(dòng)能力�
3. 工業(yè)控制:如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)�
4. 汽車電子:適用于車載電子系統(tǒng)中的大電流控制模��
5. 能量管理:例如電池管理系�(tǒng)(BMS)中的充放電路徑控制�
DTA114EVT2L, IRFZ44N, FDP5500