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DS25BR120 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 8:46:55 查看 閱讀�25

DS25BR120 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的雙�、非易失性存儲器 (NV) SRAM 緩沖�,適用于需要高速數(shù)�(jù)傳輸和可靠存儲的�(yīng)�。該芯片�(nèi)置了鐵電隨機存取存儲� (FRAM),能夠在斷電時保留數(shù)�(jù),并且具有低功耗特�,非常適合電池供電設(shè)備或?qū)δ芎拿舾械南到y(tǒng)�
  DS25BR120 的設(shè)計允許在高� SPI 接口下進行�(shù)�(jù)緩沖和暫�,同時支持快速寫入和讀取操�。由于其非易失性存儲能�,它可以在突然斷電的情況下自動保存數(shù)�(jù),無需外部電源支持�

參數(shù)

工作電壓�1.8V � 3.6V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  接口類型:SPI
  存儲容量�128 字節(jié) NV SRAM
  訪問時間:小� 35ns
  �(shù)�(jù)保持時間:超� 10 �
  寫入耐久性:大于 10^12 次擦寫周�
  封裝類型�8 引腳 SOIC � 8 引腳 TSSOP

特�

DS25BR120 具有以下 非易失性存儲:即使在斷電情況下也能保存�(shù)�(jù),無需額外備份電源�
  2. 快速訪問速度:支持高� 50MHz � SPI 時鐘頻率,適合實時數(shù)�(jù)處理�(yīng)��
  3. 低功耗運行:在待機模式下電流消耗極低,有助于延長電池壽��
  4. 可靠性高:具備出色的抗輻射能力和耐久�,適合工�(yè)和汽車環(huán)��
  5. 簡化�(shè)計:無需 EEPROM 或閃存即可實�(xiàn)�(shù)�(jù)存儲功能,減少系�(tǒng)�(fù)雜度�
  6. 寬工作電壓范圍:兼容多種供電場景,適�(yīng)性強�
  7. 小型封裝:節(jié)� PCB 空間,適合緊湊型�(shè)��

�(yīng)�

DS25BR120 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動化:用于控制器中的數(shù)�(jù)日志記錄和參�(shù)存儲�
  2. 汽車電子:適用于�(fā)動機控制單元 (ECU) 和其他關(guān)鍵系�(tǒng)的臨時數(shù)�(jù)緩存�
  3. �(yī)療設(shè)備:為便攜式�(yī)療儀器提供可靠的�(shù)�(jù)存儲解決方案�
  4. 計量儀表:如智能電�,用以保存重要測量數(shù)�(jù)�
  5. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT) �(shè)備:在傳感器節(jié)點中用作本地�(shù)�(jù)緩存,減少網(wǎng)�(luò)通信負擔�
  6. 電池管理系統(tǒng):監(jiān)測和存儲電池健康狀�(tài)及使用歷史�

替代型號

DS25BR100, DS25BR256

ds25br120推薦供應(yīng)� 更多>

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