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DS1647-100IND 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 1:11:19 查看 閱讀:7

DS1647-100IND 是一款非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM),由 Maxim Integrated(現(xiàn)為 Analog Devices)生產(chǎn)。它結(jié)合了高速 SRAM 和非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 的優(yōu)點(diǎn),能夠在斷電時(shí)自動(dòng)保存數(shù)據(jù)。該器件采用標(biāo)準(zhǔn) SPI 接口進(jìn)行通信,并具有快速寫入和低功耗的特性,適用于需要高可靠性和實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。
  DS1647-100IND 提供 128Kb 的 NVSRAM 存儲(chǔ)容量,支持字節(jié)、頁和塊級(jí)別的寫入操作。其封裝形式為 SOIC-8 或 DFN-8 小型封裝,適合空間受限的設(shè)計(jì)。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量:128Kb
  接口類型:SPI
  工作電壓:1.8V 至 3.6V
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  封裝形式:SOIC-8, DFN-8
  數(shù)據(jù)保持時(shí)間:超過10年
  寫入耐久性:高達(dá)10^12次
  傳輸速率:最高10MHz

特性

DS1647-100IND 具備以下主要特性:
  1. 非易失性存儲(chǔ)功能:即使在電源中斷的情況下,數(shù)據(jù)也能被安全保存,無需外部電池支持。
  2. 快速寫入能力:相比傳統(tǒng) EEPROM 或閃存,寫入速度更快,延遲更低。
  3. 超低功耗設(shè)計(jì):待機(jī)模式下電流消耗極低,非常適合電池供電設(shè)備。
  4. 寬工作電壓范圍:支持從1.8V到3.6V的工作電壓,兼容多種應(yīng)用場(chǎng)景。
  5. 高可靠性:具有出色的抗干擾性能,可承受多次讀寫循環(huán)而不會(huì)降低數(shù)據(jù)完整性。
  6. 簡(jiǎn)單的 SPI 接口:易于集成到現(xiàn)有的微控制器或處理器系統(tǒng)中。
  7. 小尺寸封裝:采用緊湊型 SOIC-8 或 DFN-8 封裝,節(jié)省 PCB 空間。

應(yīng)用

DS1647-100IND 廣泛應(yīng)用于需要高可靠性和實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的領(lǐng)域,例如:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化:用于保存配置參數(shù)、日志信息和關(guān)鍵狀態(tài)數(shù)據(jù)。
  2. 醫(yī)療設(shè)備:如便攜式健康監(jiān)測(cè)儀,存儲(chǔ)患者數(shù)據(jù)和校準(zhǔn)信息。
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如數(shù)碼相機(jī)、智能家居設(shè)備等,提供斷電保護(hù)功能。
  4. 計(jì)量?jī)x器:如智能電表,記錄用電數(shù)據(jù)和歷史記錄。
  5. 通信設(shè)備:保存網(wǎng)絡(luò)配置和日志文件。
  6. 數(shù)據(jù)記錄儀:在運(yùn)輸、物流等領(lǐng)域記錄環(huán)境條件或位置信息。

替代型號(hào)

DS1647-101IND, DS1647-102IND

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