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DS1245Y-70IND+ 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 9:47:01 查看 閱讀�13

DS1245Y 是一款非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲器(NVSRAM),� Maxim Integrated 生產(chǎn)。該芯片� SRAM 的高速讀寫性能與非易失性存儲功能結(jié)合在一起,能夠在系�(tǒng)斷電時通過電池或超級電容備份保存數(shù)�(jù)。DS1245Y-70IND+ � DS1245Y 系列的一個具體封裝版�,采� SOIC-8 封裝�
  這款芯片適用于需要頻繁更新數(shù)�(jù)且要求在斷電后保�?jǐn)?shù)�(jù)完整性的�(yīng)用環(huán)�,例如工�(yè)控制、儀�、醫(yī)療設(shè)備和通信系統(tǒng)��

參數(shù)

存儲容量�4096 x 8 位(32Kb�
  工作電壓�1.8V � 5.5V
  待機(jī)電流�5 μA(典型值)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  寫入時間:無限制(SRAM 類型�
  封裝類型:SOIC-8
  �(shù)�(jù)保留時間�10 年(使用電池備份時)

特�

DS1245Y 提供了快速的訪問速度和非易失性數(shù)�(jù)存儲能力。其主要特性包括:
  1. �(nèi)置非易失性保�(hù)電路,能夠通過外部電池或電容實(shí)�(xiàn)�(shù)�(jù)備份�
  2. 支持字節(jié)寫入操作,無需頁寫入或擦除周期�
  3. 高可靠性設(shè)計,確保�(shù)�(jù)在極端條件下的完整��
  4. 兼容�(biāo)�(zhǔn)同步 SRAM 接口,易于集成到�(xiàn)有系�(tǒng)中�
  5. 自動檢測電源故障并切換至備份模式,避免數(shù)�(jù)丟失�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合長期使用�

�(yīng)�

DS1245Y-70IND+ 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動化設(shè)備中的配置參�(shù)存儲�
  2. �(yī)療設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄和校�(zhǔn)信息保存�
  3. 計量儀表的歷史�(shù)�(jù)記錄�
  4. 通信�(wǎng)�(luò)中的臨時緩存及狀�(tài)保存�
  5. 嵌入式系�(tǒng)的啟動代碼和�(guān)鍵數(shù)�(jù)存儲�
  由于其低功耗和高可靠性的特點(diǎn),它非常適合需要長時間�(yùn)行且對數(shù)�(jù)安全性有較高要求的應(yīng)用場��

替代型號

DS1245L-70+, DS1245M-70+, DS1245N-70+

ds1245y-70ind+推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ds1245y-70ind+資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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ds1245y-70ind+參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝11
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲�
  • 系列-
  • 格式 - 存儲�RAM
  • 存儲器類�NVSRAM(非易失 SRAM�
  • 存儲容量1M (128K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼32-DIP 模塊�0.600"�15.24mm�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�32-EDIP
  • 包裝管件