DS1245Y 是一款非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲器(NVSRAM),� Maxim Integrated 生產(chǎn)。該芯片� SRAM 的高速讀寫性能與非易失性存儲功能結(jié)合在一起,能夠在系�(tǒng)斷電時通過電池或超級電容備份保存數(shù)�(jù)。DS1245Y-70IND+ � DS1245Y 系列的一個具體封裝版�,采� SOIC-8 封裝�
這款芯片適用于需要頻繁更新數(shù)�(jù)且要求在斷電后保�?jǐn)?shù)�(jù)完整性的�(yīng)用環(huán)�,例如工�(yè)控制、儀�、醫(yī)療設(shè)備和通信系統(tǒng)��
存儲容量�4096 x 8 位(32Kb�
工作電壓�1.8V � 5.5V
待機(jī)電流�5 μA(典型值)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
寫入時間:無限制(SRAM 類型�
封裝類型:SOIC-8
�(shù)�(jù)保留時間�10 年(使用電池備份時)
DS1245Y 提供了快速的訪問速度和非易失性數(shù)�(jù)存儲能力。其主要特性包括:
1. �(nèi)置非易失性保�(hù)電路,能夠通過外部電池或電容實(shí)�(xiàn)�(shù)�(jù)備份�
2. 支持字節(jié)寫入操作,無需頁寫入或擦除周期�
3. 高可靠性設(shè)計,確保�(shù)�(jù)在極端條件下的完整��
4. 兼容�(biāo)�(zhǔn)同步 SRAM 接口,易于集成到�(xiàn)有系�(tǒng)中�
5. 自動檢測電源故障并切換至備份模式,避免數(shù)�(jù)丟失�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合長期使用�
DS1245Y-70IND+ 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動化設(shè)備中的配置參�(shù)存儲�
2. �(yī)療設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄和校�(zhǔn)信息保存�
3. 計量儀表的歷史�(shù)�(jù)記錄�
4. 通信�(wǎng)�(luò)中的臨時緩存及狀�(tài)保存�
5. 嵌入式系�(tǒng)的啟動代碼和�(guān)鍵數(shù)�(jù)存儲�
由于其低功耗和高可靠性的特點(diǎn),它非常適合需要長時間�(yùn)行且對數(shù)�(jù)安全性有較高要求的應(yīng)用場��
DS1245L-70+, DS1245M-70+, DS1245N-70+