DS1245AB-120IND+ 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (NVSRAM),它�(jié)合了高� SRAM 和非易失性存�(chǔ)技�(shù)。該芯片可以在斷電時(shí)通過(guò)電池備份保留�(shù)�(jù),同�(shí)支持快速寫(xiě)入和讀取操�。DS1245AB-120IND+ 采用 SOIC 封裝,適用于需要高可靠�、快速訪�(wèn)�(shí)間以及數(shù)�(jù)保持能力的應(yīng)用場(chǎng)��
這款 NVSRAM 提供� 32K x 8 的存�(chǔ)容量,并具有自動(dòng)切換功能,能夠在主電源正常工作時(shí)使用 SRAM 模式,在主電源失效時(shí)切換到電池供電模式以保存�(shù)�(jù)�
存儲(chǔ)容量�32K x 8 bits
封裝類型:SOIC-28
工作電壓:Vcc�4.5V � 5.5V,Vbat�2.7V � 3.6V
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:10 年(典型值)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
訪問(wèn)�(shí)間:70ns(最大值)
�(xiě)周期:無(wú)限制(SRAM 模式下)
引腳�(shù)量:28
備用電池輸入:支�
非易失性保�(hù):硬件控�
DS1245AB-120IND+ 具備以下主要特性:
1. 高� SRAM 存儲(chǔ)單元與非易失性存�(chǔ)技�(shù)相結(jié)�,確保在系統(tǒng)斷電�(shí)能夠可靠地保存關(guān)鍵數(shù)�(jù)�
2. 支持雙電源輸�,包括主電源 (Vcc) 和備用電池電� (Vbat),實(shí)�(xiàn)�(wú)縫切換�
3. �(nèi)置硬件控制的非易失性保�(hù)�(jī)�,防止意外寫(xiě)入或覆蓋重要�(shù)�(jù)�
4. 快速訪�(wèn)�(shí)間(70ns 最大值),適合對(duì)速度要求較高的應(yīng)��
5. 寬工作溫度范� (-40°C � +85°C),適用于工業(yè)和商�(yè)�(huán)��
6. �(shù)�(jù)保持�(shí)間長(zhǎng)�(dá) 10 �,保證長(zhǎng)期存�(chǔ)可靠��
7. �(jiǎn)化的接口�(shè)�(jì),便于集成到各種嵌入式系�(tǒng)��
DS1245AB-120IND+ 芯片廣泛�(yīng)用于需要高可靠性數(shù)�(jù)存儲(chǔ)和快速訪�(wèn)的場(chǎng)�,例如:
1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的配置參�(shù)存儲(chǔ)�
2. �(yī)療設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄與日志保存�
3. �(jì)�?jī)x表(如電表、水表等)的累計(jì)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
4. 通信�(shè)備的�(guān)鍵信息備份�
5. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)緩沖�
6. 嵌入式控制系�(tǒng)中的固件更新及狀�(tài)跟蹤�
由于其具備電池備份功能和較長(zhǎng)的數(shù)�(jù)保持�(shí)�,DS1245AB-120IND+ 成為許多需要長(zhǎng)期數(shù)�(jù)保存�(yīng)用的理想選擇�
DS1245B-120+, DS1245A-120, DS1245-120