DS1230W-70IND+ 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVSRAM�。該芯片�(jié)合了高� SRAM 和非易失性存�(chǔ)功能,能夠在斷電�(shí)自動(dòng)� SRAM �(shù)�(jù)保存到非易失性存�(chǔ)器中,并在重新上電時(shí)恢復(fù)�(shù)�(jù)。這使� DS1230W-70IND+ 非常適合需要高可靠性和快速數(shù)�(jù)訪問的應(yīng)用場(chǎng)景�
該器件采用標(biāo)�(zhǔn) SPI 接口�(jìn)行通信,具有低功�、高耐用性和快速寫入的特點(diǎn)。其非易失性特性消除了傳統(tǒng)電池備份方案的復(fù)雜性和維護(hù)成本�
存儲(chǔ)容量�512Kb
組織�(jié)�(gòu)�65536 x 8
接口類型:SPI
工作電壓Vcc�1.7V � 3.6V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:SOIC-8
�(shù)�(jù)保存�(shí)間:超過10�
擦寫周期�1百萬�
DS1230W-70IND+ 具備以下主要特性:
1. 自動(dòng)�(shù)�(jù)保護(hù):內(nèi)置電荷泵和控制邏�,在電源故障�(shí)自動(dòng)� SRAM �(shù)�(jù)�(zhuǎn)移到非易失性存�(chǔ)器中�
2. 快速讀寫速度:支持高�(dá) 50MHz � SPI �(shí)鐘頻�,確保數(shù)�(jù)的快速訪問與傳輸�
3. 超低功耗設(shè)�(jì):待�(jī)模式下的電流僅為幾微�,非常適合便攜式�(shè)備和低功耗系�(tǒng)�
4. 寬工作電壓范圍:支持� 1.7V � 3.6V 的電壓范�,增�(qiáng)了對(duì)不同電源系統(tǒng)的適�(yīng)能力�
5. �(jiǎn)化設(shè)�(jì):無需外部電池或超�(jí)電容即可�(shí)�(xiàn)非易失性存�(chǔ),降低了系統(tǒng)�(fù)雜度和長(zhǎng)期維�(hù)成本�
6. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測(cè)�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
DS1230W-70IND+ 廣泛�(yīng)用于需要高性能�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和快速訪問的�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)自動(dòng)化:用于 PLC、數(shù)�(jù)記錄儀等設(shè)備中的配置參�(shù)和關(guān)鍵數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
2. �(yī)療設(shè)備:如監(jiān)�(hù)儀、血糖儀等需要長(zhǎng)�(shí)間保存患者數(shù)�(jù)的場(chǎng)��
3. �(jì)�?jī)x表:智能電表、水�、氣表等需要精確記錄使用數(shù)�(jù)的場(chǎng)合�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:�(shù)碼相�(jī)、音頻播放器等需要非易失性存�(chǔ)的消�(fèi)類產(chǎn)��
5. 通信�(shè)備:路由�、交換機(jī)等網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的固件和日志存儲(chǔ)�
6. 物聯(lián)�(wǎng)終端:傳感器節(jié)�(diǎn)、邊緣計(jì)算設(shè)備的�(shù)�(jù)緩沖與存�(chǔ)�
DS1230Y-70+
DS1230W-50+