DS1230AB-70 � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失� SRAM (NVSRAM) 芯片,它結合了靜�(tài)隨機存取存儲� (SRAM) 和非易失性存儲功�。該芯片能夠在斷電時通過�(nèi)部的 EEPROM 自動保存 SRAM �(shù)�(jù),并在重新上電后恢復�(shù)�(jù)。這種特性使其非常適合需要高可靠�、快速訪問和�(shù)�(jù)持久性的應用場景�
DS1230AB-70 提供了一� 32Kb � SRAM 存儲空間�4096 字節(jié)�,并集成了一個鋰離子電池或外部超級電容接口以支持�(shù)�(jù)保護。此�,它還具有自動數(shù)�(jù)備份功能,在檢測到電源故障時能夠無縫切換到非易失性模��
存儲容量�32Kb (4096 字節(jié))
工作電壓�1.8V � 5.5V
�(shù)�(jù)保持時間�10 年(使用鋰電池)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:SOIC-8, DIP-8
寫入周期:無需額外寫入時間(SRAM 操作�
�(shù)�(jù)保留:通過�(nèi)� EEPROM 實現(xiàn)
功耗:低功耗待機模�
DS1230AB-70 具有以下主要特性:
1. 高� SRAM 訪問速度,典型值為 70ns�
2. �(nèi)置非易失性存儲功�,斷電時自動保存 SRAM �(shù)�(jù)�
3. 支持多種電源管理選項,包括外部電容或鋰電池供電�
4. 寬工作電壓范�,適合多種應用環(huán)��
5. 小型封裝設計,易于集成到緊湊型系�(tǒng)��
6. 高可靠性設計,確保�(shù)�(jù)完整性和長期存儲能力�
7. 工業(yè)級工作溫度范�,適應惡劣環(huán)境下的操作需��
DS1230AB-70 的典型應用領域包括:
1. 工業(yè)控制設備中的配置和狀�(tài)�(shù)�(jù)存儲�
2. �(yī)療設備中的關鍵參�(shù)記錄�
3. 通信系統(tǒng)中的實時�(shù)�(jù)緩沖與保��
4. 儀表儀器的�(shù)�(jù)采集與日志記錄�
5. 嵌入式系�(tǒng)中的臨時�(shù)�(jù)存儲及掉電保��
6. 物聯(lián)�(wǎng)設備中的小型化數(shù)�(jù)存儲解決方案�
由于其非易失性和高速性能,DS1230AB-70 在需要頻繁讀寫且要求�(shù)�(jù)持久性的場景下表�(xiàn)尤為出色�
DS1230Y-50, DS1230A-70, CY14B101MN, AT24C02