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DS1230AB-70 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 19:53:06 查看 閱讀�5

DS1230AB-70 � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失� SRAM (NVSRAM) 芯片,它結合了靜�(tài)隨機存取存儲� (SRAM) 和非易失性存儲功�。該芯片能夠在斷電時通過�(nèi)部的 EEPROM 自動保存 SRAM �(shù)�(jù),并在重新上電后恢復�(shù)�(jù)。這種特性使其非常適合需要高可靠�、快速訪問和�(shù)�(jù)持久性的應用場景�
  DS1230AB-70 提供了一� 32Kb � SRAM 存儲空間�4096 字節(jié)�,并集成了一個鋰離子電池或外部超級電容接口以支持�(shù)�(jù)保護。此�,它還具有自動數(shù)�(jù)備份功能,在檢測到電源故障時能夠無縫切換到非易失性模��

參數(shù)

存儲容量�32Kb (4096 字節(jié))
  工作電壓�1.8V � 5.5V
  �(shù)�(jù)保持時間�10 年(使用鋰電池)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:SOIC-8, DIP-8
  寫入周期:無需額外寫入時間(SRAM 操作�
  �(shù)�(jù)保留:通過�(nèi)� EEPROM 實現(xiàn)
  功耗:低功耗待機模�

特�

DS1230AB-70 具有以下主要特性:
  1. 高� SRAM 訪問速度,典型值為 70ns�
  2. �(nèi)置非易失性存儲功�,斷電時自動保存 SRAM �(shù)�(jù)�
  3. 支持多種電源管理選項,包括外部電容或鋰電池供電�
  4. 寬工作電壓范�,適合多種應用環(huán)��
  5. 小型封裝設計,易于集成到緊湊型系�(tǒng)��
  6. 高可靠性設計,確保�(shù)�(jù)完整性和長期存儲能力�
  7. 工業(yè)級工作溫度范�,適應惡劣環(huán)境下的操作需��

應用

DS1230AB-70 的典型應用領域包括:
  1. 工業(yè)控制設備中的配置和狀�(tài)�(shù)�(jù)存儲�
  2. �(yī)療設備中的關鍵參�(shù)記錄�
  3. 通信系統(tǒng)中的實時�(shù)�(jù)緩沖與保��
  4. 儀表儀器的�(shù)�(jù)采集與日志記錄�
  5. 嵌入式系�(tǒng)中的臨時�(shù)�(jù)存儲及掉電保��
  6. 物聯(lián)�(wǎng)設備中的小型化數(shù)�(jù)存儲解決方案�
  由于其非易失性和高速性能,DS1230AB-70 在需要頻繁讀寫且要求�(shù)�(jù)持久性的場景下表�(xiàn)尤為出色�

替代型號

DS1230Y-50, DS1230A-70, CY14B101MN, AT24C02

ds1230ab-70推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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ds1230ab-70資料 更多>

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ds1230ab-70參數(shù)

  • 標準包裝12
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲�
  • 系列-
  • 格式 - 存儲�RAM
  • 存儲器類�NVSRAM(非易失 SRAM�
  • 存儲容量256K (32K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作溫度0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼28-DIP 模塊�0.600"�15.24mm�
  • 供應商設備封�28-EDIP
  • 包裝管件
  • 其它名稱DS1230AB70