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DS1230AB-150+ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 11:45:43 查看 閱讀�13

DS1230AB-150+ � Maxim Integrated(現(xiàn)� Analog Devices 旗下)生�(chǎn)的一款非易失� SRAM (NVSRAM) 芯片。該芯片�(jié)合了高速靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�(SRAM)和非易失性鐵電存�(chǔ)�(FRAM),能夠在斷電�(shí)自動(dòng)保存SRAM中的�(shù)�(jù)到FRAM中,確保�(shù)�(jù)的完整��
  DS1230AB-150+ 支持 I2C 接口通信,并且具有低功�、高可靠性和快速寫入的特點(diǎn),適用于需要頻繁數(shù)�(jù)記錄和斷電保�(hù)的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

工作電壓�2.7V�5.5V
  存儲(chǔ)容量�32Kb (4096 字節(jié))
  I2C接口速度:支持標(biāo)�(zhǔn)模式(100kHz)和快速模�(400kHz)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式�8引腳 SOIC 封裝
  �(shù)�(jù)保持�(shí)間:超過10�
  寫入周期:無限制(由FRAM特性決定)

特�

DS1230AB-150+ 具有以下顯著特性:
  1. 非易失性:�(nèi)� FRAM 存儲(chǔ)器可以保證在斷電情況下保� SRAM 中的�(shù)�(jù),無需額外電池或超�(jí)電容支持�
  2. 自動(dòng)�(shù)�(jù)備份:通過集成的電源監(jiān)�(cè)電路,在檢測(cè)到掉電事件時(shí),會(huì)� SRAM �(shù)�(jù)自動(dòng)傳輸?shù)?FRAM 中保��
  3. 快速寫入:FRAM 技�(shù)提供快速寫入能�,不需要寫入前擦除操作,大幅提高數(shù)�(jù)更新效率�
  4. 高可靠性:由于 FRAM 的耐久�,允許無限次讀寫循�(huán),適合頻繁寫入數(shù)�(jù)的環(huán)境�
  5. 低功耗:與傳�(tǒng)� EEPROM 或閃存相�,DS1230AB-150+ 在寫入數(shù)�(jù)�(shí)消耗更少的能量�

�(yīng)�

DS1230AB-150+ 廣泛�(yīng)用于�(duì)�(shù)�(jù)完整性要求較高的�(chǎng)景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)控制:用于實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)記錄和斷電保�(hù)�
  2. �(yī)療設(shè)備:如監(jiān)�(hù)儀、血糖儀等需要頻繁存�(chǔ)�(guān)鍵數(shù)�(jù)的場(chǎng)��
  3. �(jì)�?jī)x表:如智能電表、水表和�?xì)獗淼龋糜谟涗浭褂脭?shù)�(jù)并防止數(shù)�(jù)丟失�
  4. 消費(fèi)電子:例如數(shù)碼相�(jī)、便攜式音頻播放器等需要可靠存�(chǔ)的應(yīng)��
  5. 通信系統(tǒng):在�(wǎng)�(luò)路由�、交換機(jī)中用作配置存�(chǔ)和日志記��

替代型號(hào)

DS1230A-150+, DS1230B-150+, DS1231C

ds1230ab-150+推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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  • 品牌
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ds1230ab-150+參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝12
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲(chǔ)�
  • 系列-
  • 格式 - 存儲(chǔ)�RAM
  • 存儲(chǔ)器類�NVSRAM(非易失 SRAM�
  • 存儲(chǔ)容量256K (32K x 8)
  • 速度150ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作溫度0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼28-DIP 模塊�0.600"�15.24mm�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�28-EDIP
  • 包裝管件