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DS1225Y-85IND+ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 20:14:13 查看 閱讀�15

DS1225Y-85IND+ 是一款雙通道、低功耗的 CMOS 靜電存儲(chǔ)器(SRAM),� Maxim Integrated 生產(chǎn)。它采用�(biāo)�(zhǔn)的同步靜�(tài) RAM 架構(gòu),具有快速訪問時(shí)間和高可靠�,適用于各種工業(yè)和商�(yè)�(yīng)�。該芯片�(nèi)置了電池備份功能,能夠在主電源斷電時(shí)保存�(shù)�(jù),非常適合需要非易失性數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景�
  DS1225Y-85IND+ 使用 SOIC 封裝形式,支持較寬的工作溫度范圍�-40°C � +85°C�,這使得其在惡劣環(huán)境下的表�(xiàn)依然�(wěn)定�

參數(shù)

工作電壓�3V � 5.5V
  存儲(chǔ)容量�2K x 8 bits (16Kb)
  訪問�(shí)間:70ns 典型�
  �(shù)�(jù)保留�(shí)間:10年(電池供電模式下)
  封裝形式:SOIC-8
  工作溫度�-40°C � +85°C
  待機(jī)電流:最� 20μA

特�

DS1225Y-85IND+ 的主要特性包括:
  1. 雙通道架構(gòu):允許同�(shí)訪問兩�(gè)�(dú)立的存儲(chǔ)區(qū)��
  2. �(nèi)置電池備份:�(dāng)主電源斷開時(shí),芯片可以依靠內(nèi)部連接的鋰電池繼續(xù)保存�(shù)�(jù)�
  3. 快速訪問時(shí)間:典型值為 70ns,適合高速數(shù)�(jù)處理需��
  4. 高可靠性:即使在極端溫度條件下也能保持�(wěn)定的性能�
  5. 節(jié)能設(shè)�(jì):超低功耗待�(jī)模式,延長電池壽��
  6. 寬工作電壓范圍:兼容多種電源系統(tǒng),增�(qiáng)了設(shè)�(jì)靈活��

�(yīng)�

DS1225Y-85IND+ 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制� (PLC) 和人�(jī)界面 (HMI),用于存�(chǔ)配置參數(shù)和實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)�
  2. �(yī)療儀器:例如�(jiān)�(hù)儀、血糖儀�,用來保存關(guān)鍵患者信息或校準(zhǔn)�(shù)�(jù)�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如打印機(jī)、掃描儀中的固件存儲(chǔ)�
  4. �(shù)�(jù)記錄�(shè)備:如環(huán)境監(jiān)�(cè)儀�、物流追蹤器等,用于記錄重要事件日志�
  5. 通信�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)路由�、交換機(jī)中存�(chǔ)�(wǎng)�(luò)配置和路由表�

替代型號(hào)

DS1225Y-85NAT+, DS1225Y-85NAT, DS1225Y-85IND

ds1225y-85ind+推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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