DS1225Y-200 � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲� (NVSRAM),它�(jié)合了�(biāo)�(zhǔn) SRAM 的高速性能與非易失性存儲功�。該器件具有電池備份選項(xiàng),可以在主電源斷電時(shí)保護(hù)�(shù)�(jù)完整�。DS1225Y-200 采用 CMOS 工藝制造,提供低功耗和高可靠�,適用于需要頻繁寫入和長期�(shù)�(jù)保存的應(yīng)用場景�
DS1225Y-200 提供 32K x 8 位的存儲容量,總?cè)萘繛?256Kb,并支持多種工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)接口�(xié)�。其�(shè)�(jì)注重耐用性和抗干擾能�,在惡劣�(huán)境下依然能夠保持�(wěn)定工作�
存儲容量�256Kb
組織�(jié)�(gòu)�32K x 8
工作電壓范圍�4.5V � 5.5V
待機(jī)電流:小� 5μA(典型值)
讀/寫周期:70ns(最大值)
封裝形式�28 引腳 SOIC、PDIP
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:大于 10 年(在電池供電情況下�
DS1225Y-200 具有以下主要特性:
1. 高速讀寫性能,支持高�(dá) 70ns 的訪問時(shí)間�
2. 集成了非易失性存儲功�,可確保�(shù)�(jù)在斷電后不會丟失�
3. 支持電池備份模式,允許用戶在主電源失效時(shí)繼續(xù)保存�(guān)鍵數(shù)�(jù)�
4. 極低的功耗設(shè)�(jì),尤其在待機(jī)狀�(tài)下電流消耗極��
5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)各種工業(yè)�(huán)��
6. 高可靠�,能夠承受多次讀寫操作而不會影響數(shù)�(jù)完整性�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的要求�
8. 提供多種封裝選擇,便于靈活集成到不同類型的電路板��
DS1225Y-200 因其高性能和非易失性存儲能�,廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的配置參數(shù)存儲�
2. �(yī)療設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄與備��
3. 通信�(shè)備的�(guān)鍵信息保��
4. �(jì)量儀表(如智能電表)中的歷史�(shù)�(jù)存儲�
5. 嵌入式系�(tǒng)中的固件或臨�(shí)�(shù)�(jù)保存�
6. 航空航天及國防領(lǐng)域的高可靠性存儲需求�
7. POS 終端和其他金融設(shè)備的�(shù)�(jù)日志存儲�
其快速響�(yīng)�(shí)間和高可靠性使其成為許多實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集和控制系�(tǒng)的核心組��
DS1225Y-100, DS1225Y+