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DS1225AD-100IND 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 14:09:05 查看 閱讀�21

DS1225 是一款雙通道、低功耗的CMOS靜態(tài)RAM (SRAM),具有非易失性數(shù)�(jù)存儲(chǔ)功能。該芯片�(nèi)置鋰電池,能夠在主電源斷電的情況下保存數(shù)�(jù)�(zhǎng)�(dá)10�。DS1225AD-100IND是DS1225系列中的一�(gè)特定型號(hào),采用SOIC封裝形式,適合工�(yè)和商�(yè)�(yīng)��
  這款芯片�(jié)合了SRAM的速度與非易失性存�(chǔ)的優(yōu)�(shì),廣泛應(yīng)用于需要實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)保存且對(duì)功耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)景中�

參數(shù)

容量�32K x 8位(256字節(jié)�
  工作電壓:VCC = 3.0V � 5.5V
  待機(jī)電流:≤1 μA(典型值)
  讀/�(xiě)周期�(shí)間:70ns
  溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:SOIC-8
  非易失性保持時(shí)間:�10年(電池供電下)

特�

DS1225AD-100IND的主要特性包括:
  1. �(nèi)置鋰電池支持非易失性數(shù)�(jù)存儲(chǔ),在主電源斷�(kāi)�(shí)仍能保留�(shù)�(jù)�
  2. 靜態(tài)RAM�(jié)�(gòu)�??焖僭L�(wèn)�(shí)間和低功耗操作�
  3. 提供�(dú)立的CE和OE控制引腳,便于靈活的接口�(shè)�(jì)�
  4. 工作電壓范圍寬,兼容多種系統(tǒng)架構(gòu)�
  5. 高可靠性設(shè)�(jì),適用于工業(yè)和高要求�(huán)��
  6. 芯片具備極低的待�(jī)電流,延�(zhǎng)電池壽命�

�(yīng)�

DS1225AD-100IND主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的配置參�(shù)存儲(chǔ)�
  2. �(yī)療儀器中的臨�(shí)�(shù)�(jù)緩沖和關(guān)鍵信息保��
  3. POS�(jī)和金融終端的�(shù)�(jù)暫存�
  4. 嵌入式系�(tǒng)的固件備份和非易失性數(shù)�(jù)記錄�
  5. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng)中的高速緩存及斷電保護(hù)�
  6. �(cè)�?jī)x表和�(yuǎn)程監(jiān)控設(shè)備中的歷史數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�

替代型號(hào)

DS1225Y-100, DS1225Z-100

ds1225ad-100ind推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)