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DS1220Y-120 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 14:03:37 查看 閱讀�31

DS1220Y-120 � Maxim Integrated(現(xiàn)� Analog Devices, Inc.)生�(chǎn)的一款雙極�、低功��8 � CMOS 靜態(tài) RAM(SRAM),帶有非易失性存儲功�。它�(jié)合了 SRAM 的快速存取特性和 EEPROM 的非易失性數(shù)�(jù)保存能力,適用于需要電池備份或頻繁寫入的應(yīng)用場��
  該芯片采� NMOS 工藝制�,內(nèi)置一個鋰電池用于�(shù)�(jù)保持,在斷電時可以將 SRAM �(shù)�(jù)保存到非易失性存儲器�。此�,DS1220Y-120 提供了一個備用電源輸入引腳(Vbat),以確保在主電源失效時能夠繼續(xù)維持�(shù)�(jù)完整��

參數(shù)

存儲容量�8K x 8 bits (64Kb)
  工作電壓�3V � 5.5V
  待機電流:小� 2μA(典型值)
  �(shù)�(jù)保存時間�10 年(使用�(nèi)部鋰電池�
  封裝形式�28 引腳 DIP、SOIC
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  訪問時間�70ns(最大值)

特�

1. �(nèi)置鋰電池,可實現(xiàn)�(shù)�(jù)的非易失性存��
  2. 雙電源輸入(Vcc � Vbat�,支持主電源和備用電源切��
  3. 高速讀寫性能,適合實時數(shù)�(jù)記錄�(yīng)用�
  4. 超低功耗設(shè)�,非常適合便攜式�(shè)��
  5. 提供硬件寫保護功�,防止意外數(shù)�(jù)丟失�
  6. 支持字節(jié)級隨機訪問,無需分塊擦除操作�
  7. 具備自動�(shù)�(jù)保存功能,可在掉電時迅速將 SRAM �(shù)�(jù)�(zhuǎn)移到非易失性存儲區(qū)��

�(yīng)�

DS1220Y-120 常用于以下領(lǐng)域:
  1. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng):如工業(yè)控制器、醫(yī)療儀器等需要頻繁記錄和保存�(shù)�(jù)的場��
  2. 計量�(shè)備:例如電表、水表、燃氣表等智能儀表中用作�(shù)�(jù)緩沖和長期存��
  3. POS 終端和支付設(shè)備:用于臨時存儲交易信息并保證斷電后不丟失�
  4. 通信�(shè)備:如調(diào)制解�(diào)�、路由器等需要穩(wěn)定數(shù)�(jù)存儲的環(huán)��
  5. 便攜式電子設(shè)備:包括手持終端、個人�(shù)字助理等對低功耗要求較高的�(chǎn)品�

替代型號

DS1220Y-100, DS1220Y-150

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