DS1220AD-100IND+ � Maxim Integrated(現(xiàn)� Analog Devices 旗下)推出的一款低功��8位并� EEPROM 存儲(chǔ)器芯�。該器件采用 CMOS 技�(shù)制�,具備快速寫入能�、高可靠性以及較�(zhǎng)的數(shù)�(jù)保存�(shí)間,廣泛�(yīng)用于需要非易失性存�(chǔ)的場(chǎng)��
該芯片具� 1024 位(128 字節(jié))的存儲(chǔ)容量,支持字節(jié)�(jí)寫入和讀取操�,兼容標(biāo)�(zhǔn)的并行總線接口。其�(shè)�(jì)旨在滿足工業(yè)、通信以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)需��
存儲(chǔ)容量�1024 � (128 字節(jié))
工作電壓�2.5V � 5.5V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
寫入周期�5ms(最大值)
擦寫耐久性:1,000,000 �
�(shù)�(jù)保存�(shí)間:100 �
封裝類型:SOIC-8
DS1220AD-100IND+ 具有以下主要特性:
1. 非易失性存�(chǔ)功能,能夠在斷電后保存數(shù)�(jù)�
2. 支持字節(jié)�(jí)寫入和讀取操�,使用靈��
3. �(nèi)置寫保護(hù)�(jī)制,防止意外寫入或刪除數(shù)�(jù)�
4. 低功耗設(shè)�(jì),待�(jī)電流極低,適合電池供電設(shè)��
5. 寬工作電壓范�,適用于多種�(yīng)用場(chǎng)��
6. 快速寫入速度,顯著提高系�(tǒng)效率�
7. 提供�(zhǎng)�(dá) 100 年的�(shù)�(jù)保存�(shí)�,確保長(zhǎng)期可靠運(yùn)��
8. 高可靠性,能夠承受高達(dá) 1 百萬(wàn)次的擦寫循環(huán)�
DS1220AD-100IND+ 芯片因其高性能和可靠性,被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的參�(shù)�(shè)置與保存�
2. 通信�(shè)備中的配置信息存�(chǔ)�
3. �(yī)療設(shè)備中的校�(zhǔn)�(shù)�(jù)保存�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中用戶偏好�(shè)置的存儲(chǔ)�
5. �(jì)�?jī)x表中的歷史數(shù)�(jù)記錄�
6. 嵌入式系�(tǒng)的非易失性存�(chǔ)解決方案�
此外,它還適用于任何需要小容量、高可靠性和低功耗非易失性存�(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景�
DS1220Y-100+, CAT24C02