DS1216D � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一種非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (NVSRAM),它�(jié)合了高性能� SRAM 和集成的鋰電�,能夠在系統(tǒng)斷電�(shí)保存�(shù)�(jù)。該器件提供了一種可靠且低功耗的解決方案,用于需要頻繁寫入和長期�(shù)�(jù)保存的應(yīng)用場(chǎng)��
DS1216D 提供了一�(gè) 16Kb � SRAM 存儲(chǔ)空間,并通過一�(gè)�(nèi)置的鋰能源單元(Lithium Power Cell)實(shí)�(xiàn)�(shù)�(jù)在掉電后的非易失性保�(hù)。此外,它還支持 I2C 接口通信,簡化了與微控制器或其他系統(tǒng)的連接�
容量�16Kb
接口類型:I2C
工作電壓�1.8V � 5.5V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝類型:SOIC-8
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:10 年(典型值)
讀/寫周期:70ns
DS1216D 的主要特性包括高可靠�、快速訪問速度以及低功耗設(shè)�(jì)�
1. 集成鋰電池單�,確保在主電源中斷時(shí)�(shù)�(jù)不會(huì)丟失�
2. 支持�(biāo)�(zhǔn) I2C �(xié)�,便于與其他�(shè)備�(jìn)行通信�
3. �(nèi)置電池管理電路,可以自動(dòng)切換主電源和備用電源模式�
4. 寬工作電壓范圍(1.8V � 5.5V�,適�(yīng)多種�(yīng)用環(huán)��
5. �(shù)�(jù)保持�(shí)間長,即使在無外部供電的情況下也能保存數(shù)�(jù)長達(dá)十年�
6. 具備掉電檢測(cè)功能,可防止�(shù)�(jù)損壞�
DS1216D 被廣泛應(yīng)用于需要頻繁寫入和斷電后仍需保留�(shù)�(jù)的場(chǎng)景中,例如:
1. 工業(yè)控制�(shè)備中的配置參�(shù)存儲(chǔ)�
2. �(yī)療設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄與校�(zhǔn)信息保存�
3. �(jì)量儀表如電表、水表等中的歷史�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
4. 嵌入式系�(tǒng)中的日志記錄或狀�(tài)信息保存�
5. POS �(jī)和其他金融終端中的交易數(shù)�(jù)備份�
由于其非易失性和快速寫入能�,DS1216D 成為許多�(guān)鍵任�(wù)型應(yīng)用的理想選擇�
DS1216E, DS1216B