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DP200A2123XBL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:55:09 查看 閱讀�23

DP200A2123XBL是一種高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高耐壓特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少熱損��
  這種功率MOSFET適用于各種需要高頻開�(guān)和高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景,其封裝形式專為高散熱性能�(shè)�(jì),確保在�(yán)苛的工作條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:4mΩ
  柵極電荷�50nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

DP200A2123XBL的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流和耐壓能力使其適合于多種大功率�(yīng)��
  3. 快速開�(guān)性能,減少了開關(guān)損�,特別適用于高頻開關(guān)電路�
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,有效防止寄生二極管效應(yīng)帶來的問��
  5. 封裝形式�(yōu)化了散熱路徑,可大幅改善器件的熱�(wěn)定性�
  6. 能夠承受瞬態(tài)過載條件下的電流沖擊,提高了整體系統(tǒng)的可靠��
  這些特性使得DP200A2123XBL成為眾多工業(yè)控制、消�(fèi)電子和汽車電子領(lǐng)域中的理想選��

�(yīng)�

DP200A2123XBL適用于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率級控��
  3. DC/DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
  4. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
  5. 大功率LED�(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)元件�
  由于其卓越的性能和可靠�,DP200A2123XBL被廣泛應(yīng)用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和可靠開關(guān)操作的各類電子產(chǎn)品中�

替代型號

IRFZ44N
  STP20NF06L
  FQP27P06
  AO3400

dp200a2123xbl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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