DMT69M5LFVWQ是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于高效率開關電�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等場景。該器件采用了先進的制程技術,在降低導通電阻的同時提升了開關速度,從而顯著提高了整體系統(tǒng)的效率和可靠��
這款MOSFET為N溝道增強型場效應晶體�,適用于中高壓應用場�,其封裝形式通常具備�(yōu)良的散熱性能,以支持大電流連續(xù)運行�
類型:N溝道 MOSFET
耐壓值(Vds):600V
最大漏極電流(Id):12A
導通電阻(Rds(on)):350mΩ
柵極電荷(Qg):35nC
輸入電容(Ciss):1800pF
輸出電容(Coss):45pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
DMT69M5LFVWQ具有出色的電氣性能和熱�(wěn)定�,能夠滿足多種工�(yè)和消費類電子設備的需��
1. 高耐壓能力�600V的擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行�
2. 低導通電阻:僅為350mΩ的導通電阻降低了功率損�,提高了系統(tǒng)效率�
3. 快速開關特性:較小的柵極電荷使得開關速度�,適合高頻應��
4. 高可靠性:工作溫度范圍寬達-55℃至+175�,適應極端環(huán)境條件�
5. 封裝�(yōu)勢:采用�(yōu)化的封裝設計,增強了散熱性能,支持更高的功率密度�
6. 抗雪崩能力:具備良好的抗雪崩能力,能夠在異常條件下保護電��
DMT69M5LFVWQ廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 工業(yè)逆變�
5. 太陽能微逆變�
6. LED�(qū)動電�
7. 汽車電子中的負載開關和電機控�
8. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景
DMT69M5LFVQQ, IRF6962, STP12NM60