DMT47M2LDVQ 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高效應用而設�。該器件具有極低的導通電阻和快速開關特�,適用于高頻電源�(zhuǎn)換、射頻功率放大器和其他高性能應用場景�
DMT47M2LDVQ 的封裝形式為表面貼裝�,能夠提供出色的散熱性能和電氣連接�(wěn)定�。其獨特的材料特性和�(jié)�(gòu)設計使其在高頻和高功率密度應用中表現(xiàn)�(yōu)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻:30mΩ
柵極電荷�120nC
開關頻率:高� 5MHz
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
DMT47M2LDVQ 的主要特性包括:
1. 高效� GaN � HEMT �(jié)�(gòu),具備低導通電阻和快速開關速度�
2. 支持高達 600V 的漏源電�,適用于多種高壓應用場景�
3. 最大漏極電流可� 25A,確保在高負載條件下�(wěn)定運行�
4. 低柵極電荷和輸出電荷,有助于減少開關損��
5. 工作溫度范圍寬廣,適合極端環(huán)境下的使用�
6. 表面貼裝封裝,便于自動化生產(chǎn)和集成到緊湊型設計中�
DMT47M2LDVQ 廣泛應用于以下領域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 射頻功率放大器�
3. 無線充電系統(tǒng)�
4. 汽車電子中的逆變器和電源管理系統(tǒng)�
5. 工業(yè)設備中的高效電源�(zhuǎn)換模��
6. �(shù)�(jù)中心服務器電源和其他高性能計算應用�
DMT47M2LDVQH, DMT47M2LDVQL