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DMT47M2LDVQ 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 16:30:16 查看 閱讀�16

DMT47M2LDVQ 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高效應用而設�。該器件具有極低的導通電阻和快速開關特�,適用于高頻電源�(zhuǎn)換、射頻功率放大器和其他高性能應用場景�
  DMT47M2LDVQ 的封裝形式為表面貼裝�,能夠提供出色的散熱性能和電氣連接�(wěn)定�。其獨特的材料特性和�(jié)�(gòu)設計使其在高頻和高功率密度應用中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�25A
  導通電阻:30mΩ
  柵極電荷�120nC
  開關頻率:高� 5MHz
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

DMT47M2LDVQ 的主要特性包括:
  1. 高效� GaN � HEMT �(jié)�(gòu),具備低導通電阻和快速開關速度�
  2. 支持高達 600V 的漏源電�,適用于多種高壓應用場景�
  3. 最大漏極電流可� 25A,確保在高負載條件下�(wěn)定運行�
  4. 低柵極電荷和輸出電荷,有助于減少開關損��
  5. 工作溫度范圍寬廣,適合極端環(huán)境下的使用�
  6. 表面貼裝封裝,便于自動化生產(chǎn)和集成到緊湊型設計中�

應用

DMT47M2LDVQ 廣泛應用于以下領域:
  1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 射頻功率放大器�
  3. 無線充電系統(tǒng)�
  4. 汽車電子中的逆變器和電源管理系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)設備中的高效電源�(zhuǎn)換模��
  6. �(shù)�(jù)中心服務器電源和其他高性能計算應用�

替代型號

DMT47M2LDVQH, DMT47M2LDVQL

dmt47m2ldvq推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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