DMT26M0LDG 是一款高性能� N 灃道開關(guān) MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用邏輯電平驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),能夠以較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓�(shí)�(xiàn)高效的導(dǎo)通性能。該器件通常用于需要高效能和低功耗的�(yīng)用場景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電源管理電路�
這款 MOSFET 的封裝形式為 DFN5x6-8L 封裝,具有較小的占位面積和優(yōu)秀的散熱性能,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�17A
柵極閾值電壓:1.2V � 2.2V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.4mΩ(在 Vgs=4.5V �(shí)�
總柵極電荷:29nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
DMT26M0LDG 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),兼� 3.3V � 5V 系統(tǒng),簡化了�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場��
4. 高額定漏極電流能�,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)行�
5. 小型化封裝(DFN5x6-8L�,節(jié)� PCB 空間�
6. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)各種�(huán)境條件下的使用需��
DMT26M0LDG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元件�
2. 筆記本電腦和平板電腦中的�(fù)載開�(guān)�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 手機(jī)和其他便攜式�(shè)備的電池管理系統(tǒng)(BMS��