DMP610DL 是一� N 溝道增強型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),廣泛應用于功率轉�、負載開關和電機驅動等場景。該器件采用 DPAK 封裝,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能力�
� MOSFET 的設計使其在高頻開關應用中表�(xiàn)出色,同時具備良好的熱性能和可靠�,適用于需要高效能和緊湊設計的電子設備�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極閾值電壓:2V � 4V
最大功耗:135W
工作結溫范圍�-55� � +175�
DMP610DL 提供了低導通電阻以減少傳導損�,并且其封裝形式有助于散熱管�。此�,它具有快速開關速度和低柵極電荷,從而提升了效率并降低了開關損��
由于其高雪崩能量能力和穩(wěn)健的設計,該器件能夠在惡劣環(huán)境下可靠運行。其出色的電氣性能和熱性能使得 DMP610DL 成為眾多功率應用的理想選��
DMP610DL 廣泛應用� DC-DC 轉換�、負載開�、電機驅動電�、電池保護以及各種工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的功率管理模塊�
它特別適合需要高效率和高功率密度的設�,例如筆記本電腦適配�、汽車電子系�(tǒng)和家用電器中的電源部��
DMP6006L, IRF540N, FDP15N65S