時間：2025/4/29 17:14:12
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DMP31D7LFB是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用DFN5*6-8L封裝形式，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于各種功率轉換和電源管理應用。它廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制以及通信設備等領域。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±12V
連續(xù)漏極電流：7.1A
導通電阻：4.5mΩ
柵極電荷：16nC
開關時間：開啟時間3ns，關斷時間9ns
工作溫度范圍：-55℃至175℃
DMP31D7LFB采用了先進的制造工藝，確保了其在高頻和低損耗應用中的卓越表現(xiàn)。
1. 低導通電阻設計能夠顯著降低功耗，提升效率。
2. 高速開關性能使其非常適合用于高頻DC-DC轉換器、負載開關以及電機驅動等場景。
3. 小尺寸的DFN封裝節(jié)省了PCB空間，同時增強了熱性能。
4. 寬泛的工作溫度范圍讓該器件能夠在嚴苛環(huán)境下穩(wěn)定運行。
5. 內置ESD保護功能提高了產品的可靠性。
該MOSFET適用于多種電力電子應用領域，包括但不限于：
1. 各類DC-DC轉換器，例如降壓、升壓及反激式變換器。
2. 開關電源（SMPS）中作為主開關或同步整流元件。
3. 手機和平板電腦中的負載開關。
4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制電路。
5. 電機驅動電路中的功率級開關。
6. 其他需要高效能功率開關的應用場景。
DMP3007LFG, DMP3007UFG
