DMP21D0UT是來自Diodes Incorporated的一款N溝道MOSFET功率晶體�,采用超小型DFN3030-8L封裝。該器件具有低導通電阻(Rds(on))和快速開關性能,適合用于各種高效能電源管理應用。其�(yōu)化的電氣特性使其成為消費電�、通信設備以及工業(yè)控制等領域的理想選擇�
該器件的主要特點是能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗,并且具備出色的熱�(wěn)定性和耐用�。它支持高電流負�,同時提供卓越的電磁干擾抑制能力�
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�14A
導通電�(Rds(on))�5.5mΩ
柵極電荷(Qg)�16nC
總電>結溫范圍(Tj)�-55°C to 150°C
封裝類型:DFN3030-8L
DMP21D0UT擁有非常低的導通電�,僅�5.5毫歐,從而顯著降低傳導損耗并提升整體效率。此外,該器件的柵極電荷較小,僅�16納庫侖,確保了快速開關性能,非常適合于高頻DC-DC轉換器和同步整流電路中使��
其額定漏極電流高�14安培,能夠勝任多種高功率應用場景。同�,器件的結溫范圍覆蓋�-55攝氏度到150攝氏度,表現(xiàn)出優(yōu)異的溫度適應�。超小型DFN3030-8L封裝不僅節(jié)省空�,還改善了散熱效果�
DMP21D0UT的設計考慮到了EMI(電磁干擾)問題,通過�(yōu)化寄生參�(shù)來減少不必要的噪聲輻�。此�,該MOSFET具備良好的短路耐受能力和抗浪涌性能,進一步增強了系統(tǒng)可靠��
DMP21D0UT廣泛應用于消費類電子產品中的電源管理領域,例如筆記本電腦適配�、智能手機充電器、平板電腦電源模塊等。在工業(yè)應用方面,它可以用于電機驅動、逆變�、LED照明驅動電路以及電池管理系統(tǒng)�
此外,在通信設備�,該器件常被用作DC-DC轉換器的核心開關元件,或者作為負載開關實�(xiàn)高效的電源切�。由于其出色的高頻性能,也適用于各類同步整流電路設��
DMN21D0UJE, DMN21D0UFH