DMP2012SN-7是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用DFN2012-7封裝形式。該器件以其小尺寸和高效率著稱,適用于各種便攜式電子�(shè)備中的開�(guān)和負(fù)載驅(qū)動應(yīng)�。其低導(dǎo)通電阻和極低的柵極電荷使其成為高效電源管理的理想選擇�
該MOSFET具有出色的熱性能和電氣特�,能夠在高頻和高功率密度的應(yīng)用中提供可靠的性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�1.6A
�(dǎo)通電阻:95mΩ
柵源開啟電壓�1.2V�2.8V
總柵極電荷:4nC
工作溫度范圍�-55℃至150�
DMP2012SN-7的主要特點是其超小型封裝和卓越的電氣性能。其DFN2012-7封裝尺寸僅為2mm x 1.2mm,非常適合空間受限的�(shè)�。此�,該器件具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds并提高系�(tǒng)效率�
另一個顯著特點是其低柵極電荷(Qg�,這使得該MOSFET在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�,其較高的漏源電壓額定值(30V)保證了在大多數(shù)低壓�(yīng)用中的穩(wěn)定��
該器件還具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,可承受高�(dá)150°C的工作溫�,確保在高溫�(huán)境下仍能保持可靠運行�
DMP2012SN-7廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 移動�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
2. 電池供電�(chǎn)品的電源管理
3. 消費類電子產(chǎn)品的DC/DC�(zhuǎn)換器
4. LED�(qū)動電路中的開�(guān)元件
5. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的保�(hù)電路
由于其小尺寸和高效性能,這款MOSFET特別適合于需要緊湊設(shè)計和高性能的應(yīng)用場景�
DMN2012UFQ-7, DMN2012UFG-7