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DMP2008USS 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 23:14:49 查看 閱讀：6

DMP2008USS是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），采用小尺寸的DFN3*3-8封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，適用于多種高效能功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載切換應(yīng)用。其設(shè)計(jì)特別針對(duì)空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景，例如便攜式電子設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品以及工業(yè)控制中的電源管理模塊。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大連續(xù)漏極電流：4.5A
　　典型導(dǎo)通電阻：6.5mΩ
　　柵極電荷：11nC
　　輸入電容：220pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至175℃

特性

DMP2008USS具有低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，能夠有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。同時(shí)，該器件具備快速開(kāi)關(guān)能力，可減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失。此外，其高雪崩擊穿能力和出色的熱穩(wěn)定性，確保了在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性。
　　由于采用了DFN3*3-8封裝，該器件還擁有良好的散熱性能，并且易于自動(dòng)化裝配，適合大批量生產(chǎn)需求。
　　整體而言，這款MOSFET在功耗、效率及耐用性等方面表現(xiàn)優(yōu)異，非常適合對(duì)空間和性能有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合。

應(yīng)用

DMP2008USS廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)（BMS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電信及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的電源管理模塊等。此外，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，它也常用于筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)等便攜式設(shè)備的充電和電源控制部分。在工業(yè)應(yīng)用中，可以作為繼電器替代方案或用于各類(lèi)保護(hù)電路。

替代型號(hào)

DMN2008USS
　　DMP2008UF
　　NTMFS4829NL

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