DMN67D8L 是一款來� Diodes 公司� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET。該器件采用 DFN3030-8 封裝,具有低導通電阻和快速開關速度的特點,適合用于便攜式設備、電源管理模塊以及負載開關等應用。其額定電壓� 30V,最大連續(xù)漏極電流可達 4A�
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�4A
柵極閾值電壓:1.2V~2.2V
導通電阻(典型值,� Vgs=4.5V 時)�25mΩ
導通電阻(最大�,在 Vgs=4.5V 時)�35mΩ
導通電阻(典型值,� Vgs=10V 時)�19mΩ
導通電阻(最大�,在 Vgs=10V 時)�25mΩ
總功耗:1.0W
工作結溫范圍�-55℃~150�
DMN67D8L 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻確保了高效的功率傳�,減少了能量損耗�
2. 快速開關能力使其非常適合高頻應��
3. 小尺寸的 DFN3030-8 封裝提高� PCB 空間利用��
4. 高可靠性設計支持廣泛的工作溫度范圍�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
DMN67D8L 廣泛應用于以下領域:
1. 手機和平板電腦中的負載開��
2. 電池供電設備中的電源管理�
3. 開關模式電源 (SMPS) � DC/DC �(zhuǎn)換器�
4. 各類消費類電子產(chǎn)品中的保護電路�
5. 工業(yè)自動化控制中的小型化�(qū)動電��
6. 電機�(qū)動和 LED �(qū)動中的功率控��
DMN67D8U, DMN67D8T