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DMN63D8LDW-13 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 11:19:25 查看 閱讀�18

DMN63D8LDW-13 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的 LFPAK56E 封裝,適用于高效�、高密度的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其成為消費電�、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)域的理想選擇�
  這款 MOSFET 的設(shè)計重點在于降低功耗并提升系統(tǒng)效率,同時保持良好的熱性能和耐用�。由于其出色的電氣性能,DMN63D8LDW-13 在負(fù)載切�、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(yīng)用場景中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  封裝:LFPAK56E
  最大漏源電�(Vdss)�30V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.3mΩ (典型�,于 Vgs=10V �)
  柵極電荷(Qg)�27nC
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
  總熱�(θJA)�40°C/W

特�

DMN63D8LDW-13 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高脈沖電流能�,支持大電流瞬態(tài)響應(yīng)�
  3. 快速開�(guān)速度,有效降低開�(guān)損耗�
  4. 小尺� LFPAK56E 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合緊湊型�(shè)��
  5. 高雪崩能量能力,增強了在異常條件下的耐用性和可靠��
  6. 工作�(jié)溫高� +175°C,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的長期穩(wěn)定運��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

DMN63D8LDW-13 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流負(fù)載切換�
  3. 各類電機�(qū)動和逆變器電��
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護功能�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效功率管理解決方��

替代型號

DMN63D8LDM-13, DMN63D8LDW-7, DMN63D8LDM-7

dmn63d8ldw-13推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

dmn63d8ldw-13參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �2.62000剪切帶(CT�10,000 : �0.33490卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss�30V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)220mA
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)2.8 歐姆 @ 250mA�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)0.87nC @ 10V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)22pF @ 25V
  • 功率 - 最大�300mW
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-363