DMN63D8LDW-13 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的 LFPAK56E 封裝,適用于高效�、高密度的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其成為消費電�、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)域的理想選擇�
這款 MOSFET 的設(shè)計重點在于降低功耗并提升系統(tǒng)效率,同時保持良好的熱性能和耐用�。由于其出色的電氣性能,DMN63D8LDW-13 在負(fù)載切�、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(yīng)用場景中表現(xiàn)�(yōu)��
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:LFPAK56E
最大漏源電�(Vdss)�30V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.3mΩ (典型�,于 Vgs=10V �)
柵極電荷(Qg)�27nC
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
總熱�(θJA)�40°C/W
DMN63D8LDW-13 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高脈沖電流能�,支持大電流瞬態(tài)響應(yīng)�
3. 快速開�(guān)速度,有效降低開�(guān)損耗�
4. 小尺� LFPAK56E 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合緊湊型�(shè)��
5. 高雪崩能量能力,增強了在異常條件下的耐用性和可靠��
6. 工作�(jié)溫高� +175°C,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的長期穩(wěn)定運��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
DMN63D8LDW-13 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流負(fù)載切換�
3. 各類電機�(qū)動和逆變器電��
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護功能�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效功率管理解決方��
DMN63D8LDM-13, DMN63D8LDW-7, DMN63D8LDM-7