DMN61D9UDW-7 是一款由 Diodes 公司生產� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用小型化的封裝設計,適用于高效能開關和負載驅動應用。DMN61D9UDW-7 在低導通電阻和高切換速度方面表現出色,廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領��
該器件的典型應用場景包括負載開關、DC-DC 轉換器、電機驅動和電池保護電路�。其緊湊的封裝形式和�(yōu)異的電氣性能使其成為現代電子設計中的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.9A
導通電阻:45mΩ
柵極電荷�4nC
總功耗:810mW
工作溫度范圍�-55� � 150�
DMN61D9UDW-7 提供了多種優(yōu)越的特�,包括低導通電阻以減少功率損耗,從而提高效�;具備快速開關能力以支持高頻操作;同時采用了堅固耐用的設�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
此外,該器件具有出色的熱�(wěn)定性,確保在高溫條件下仍能保持良好的性能。其封裝小巧,便于在空間受限的應用中使用,同時支持表面貼裝技�(SMT),簡化了制造流程并提高了生產效率�
DMN61D9UDW-7 的主要應用領域包括但不限于便攜式電子產品中的電源管理,例如智能手機和平板電腦的充電電�;計算機及其外設中的負載開關功能;各類通信設備中的信號調節(jié)與轉換;以及工業(yè)自動化系�(tǒng)中的精密控制�(huán)節(jié)�
它還可以用于汽車電子系統(tǒng),如信息娛樂單元或雨刷控制系�(tǒng)等需要高效能源利用的地方??傊?,這款 MOSFET 憑借其卓越的性能指標和可靠性,成為了眾多工程師進行�(chuàng)新設計時的重要組件選��
DMN61D9UFG-7