DMN6140L 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用先進的制造工藝設(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性。該器件通常用于需要高效率和低損耗的�(yīng)用場�,例如電源管�、DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及電機�(qū)動等�
DMN6140L 的小型化封裝(如 LLP2.0x2.5)使其非常適合空間受限的�(shè)�,并且能夠提供出色的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):7mΩ(典型值,� Vgs=4.5V 時)
柵極電荷�1.9nC(典型值)
反向恢復(fù)時間�10ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
DMN6140L 提供了低�(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損�,從而提高整體效率。其快速開�(guān)能力使其適用于高頻應(yīng)用環(huán)�,同時減少了開關(guān)損耗。此�,該器件的柵極驅(qū)動要求較低,簡化了電路設(shè)計并降低了驅(qū)動功��
由于采用了先進封裝技�(shù),DMN6140L 具備良好的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運�。它還具有較強的� ESD(靜電放電)能力,提高了�(chǎn)品的可靠性和耐用��
另外,該 MOSFET 的低電容特性有助于降低開關(guān)節(jié)點的振蕩�(fēng)�,確保系�(tǒng)�(wěn)定��
DMN6140L 廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,具體包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 便攜式設(shè)備中的電源管理模�,如智能手機和平板電腦充電器�
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器和降壓轉(zhuǎn)換器電路�
3. 筆記本電腦及服務(wù)器內(nèi)的負載開�(guān)�
4. 小功率電機驅(qū)動電路,例如�(fēng)扇或泵控制器�
5. LED �(qū)動器和其他需要高效開�(guān)功能的場��
DMN2990L
DMN3020L
NTMFS4838NZ