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DMN6140L-7 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 19:45:23 查看 閱讀:18

DMN6140L-7是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用超小型DFN封裝,適用于高效能開關(guān)和負(fù)載切換應(yīng)用。該器件由Diodes公司生產(chǎn),具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,適合于便攜式設(shè)備、電源管理模塊以及各類需要低功耗的應(yīng)用場景。
  這款MOSFET的設(shè)計優(yōu)化了空間利用率和散熱性能,使其成為移動設(shè)備和消費電子產(chǎn)品的理想選擇。

參數(shù)

型號:DMN6140L-7
  類型:N溝道MOSFET
  Vds(漏源極電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):9mΩ(典型值,在Vgs=4.5V時)
  Id(持續(xù)漏極電流):4A
  Vgs(柵源極電壓):±8V
  封裝:DFN2020-6
  工作溫度范圍:-55℃至150℃

特性

DMN6140L-7的主要特性包括:
  1. 超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),確保在大電流應(yīng)用中減少功率損耗。
  2. 高速開關(guān)性能,適合高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。
  3. 小型化封裝設(shè)計(DFN2020-6),節(jié)省PCB空間,同時提供良好的熱性能。
  4. 支持寬范圍的工作溫度,能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  5. 具有ESD保護(hù)功能,提高系統(tǒng)可靠性。
  這些特點使DMN6140L-7特別適合用于便攜式電子產(chǎn)品、電池供電設(shè)備、LED驅(qū)動器等應(yīng)用領(lǐng)域。

應(yīng)用

DMN6140L-7廣泛應(yīng)用于以下場景:
  1. 移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和電源管理。
  2. USB端口保護(hù)和充電電路。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器及升壓/降壓電路。
  4. LED背光驅(qū)動和小型電機控制。
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的信號切換和邏輯電平轉(zhuǎn)換。
  由于其高效的性能和緊湊的封裝,該MOSFET非常適合要求高集成度和低功耗的設(shè)計。

替代型號

DMN6040L-7, BSS138, AO3400

dmn6140l-7推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

dmn6140l-7參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格1 : ¥3.26000剪切帶(CT)3,000 : ¥0.60936卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)60 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)1.6A(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)140 毫歐 @ 1.8A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)8.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)315 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)700mW(Ta)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3