DMN6070SY是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET晶體�,采用DFN3030-8封裝形式。該器件主要應用于要求低導通電阻和高效開關(guān)性能的場景,如負載切�、電機驅(qū)�、電源管理模塊等。其�(yōu)異的電氣性能和緊湊的封裝�(shè)計使其非常適合于便攜式電子設(shè)備和其他空間受限的應用�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�7.9A
導通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�17nC
總電容:250pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
DMN6070SY具備極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
該器件還具有快速開�(guān)性能,這得益于其較低的柵極電荷(Qg)和輸出電荷(Qoss��
此外,DFN3030-8封裝提供出色的熱性能和電氣連接�,同時占用較小的PCB面積�
DMN6070SY還具備較高的雪崩擊穿能力和抗靜電能力(ESD�,從而提高了其在實際應用中的可靠��
DMN6070SY適用于多種領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 便攜式電子設(shè)備中的負載開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降壓穩(wěn)壓器中的同步整流�
3. 電池保護電路�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的電機控制�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離和功率傳輸�
DMN6070SYY, DMN6070SYT, BSC014N06NS3