DMN601WKQ 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET 芯片。該器件采用小型化封裝,適合在緊湊設計中使用,同時具備低導通電阻和快速開關速度的特點。它廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領域,能夠有效提高電路效率并降低功耗。
該芯片的高可靠性及穩(wěn)定的電氣性能使其成為功率轉換、負載切換和電機驅動等應用的理想選擇。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:4.5A
導通電阻(典型值):7mΩ
柵極電荷(典型值):3.9nC
輸入電容(典型值):285pF
工作結溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝類型:DFN3x3-8
DMN601WKQ 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻 (RDS(on)) 確保了更小的傳導損耗,提高了整體系統(tǒng)效率。
2. 小巧的 DFN3x3-8 封裝節(jié)省了 PCB 空間,非常適合便攜式設備和高密度設計。
3. 快速開關性能減少了開關損耗,有助于優(yōu)化高頻應用中的表現(xiàn)。
4. 高溫適應性使該器件能夠在嚴苛的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定運行。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
DMN601WKQ 適用于多種應用場合,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 轉換器中的功率開關元件。
3. 負載切換電路以實現(xiàn)高效的電源管理。
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的保護與控制。
5. 電機驅動和逆變器應用中的功率級控制。
6. 各類消費類電子產(chǎn)品中的信號切換功能。
DMN602UKQ
DMN602DGQ
NTMFS4837N
IRLML6402