DMN601LTQ 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用小尺寸的 LFPAK33 封裝,適用于需要高效率和低功耗的應用場景。其設計目標是滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型�、高效能的需�。DMN601LTQ 的導通電阻較低,并且具有出色的開關性能,廣泛用于消費電子、通信設備和工�(yè)控制等領��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.5A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�2.7nC
總電容:240pF
工作結溫范圍�-55� to 150�
封裝類型:LFPAK33
DMN601LTQ 是一款高性能的功� MOSFET,主要特性如下:
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 確保了在高電流應用中的高效表�(xiàn)�
2. 高速開關能力使其非常適合于高頻 DC/DC 轉換器和負載開關�
3. 小型化的 LFPAK33 封裝有助于減� PCB 占用面積并提高熱性能�
4. 可靠的電氣規(guī)格支持廣泛的輸入電壓范圍和嚴苛的工作�(huán)��
5. 符合 RoHS 標準,確保環(huán)保合�(guī)��
DMN601LTQ 因其卓越的性能而被廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) 中作為同步整流元件或主開關管�
2. 手機和平板電腦等便攜式設備中的負載開關�
3. 電機驅動電路中提供高效的功率傳輸�
4. LED 照明系統(tǒng)的驅動電路�
5. 工業(yè)自動化設備中的信號切換與保護功能�
DMN601LTTQ, DMN602LTQ