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DMN5L06WK-7 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/19 11:55:17 查看 閱讀：17

DMN5L06WK-7 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用小型化的 SOT23-3 封裝形式，適合于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)目標(biāo)是為低電壓、高效率的開關(guān)應(yīng)用提供支持，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
　　該器件的最大額定電壓為 60V，能夠滿足多種低壓電路的需求，并且具有較低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），從而提高了整體系統(tǒng)的效率和散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：4.1A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：180mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 下測(cè)量）
　　柵極閾值電壓：1.2V 至 3V
　　總功耗：450mW
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝形式：SOT23-3

特性

DMN5L06WK-7 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
　　1. 超低導(dǎo)通電阻：在特定的工作條件下，器件的導(dǎo)通電阻非常低，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 邏輯電平驅(qū)動(dòng)：該 MOSFET 支持低至 1.2V 的柵極開啟電壓，因此可以與現(xiàn)代微控制器或邏輯電路直接連接，無(wú)需額外的驅(qū)動(dòng)電路。
　　3. 高可靠性：通過嚴(yán)格的篩選和測(cè)試流程，確保器件在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　4. 小型化封裝：采用 SOT23-3 封裝，適合于對(duì) PCB 空間要求較高的緊湊型設(shè)計(jì)。
　　5. 寬工作溫度范圍：能夠在 -55℃ 至 +150℃ 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)正常工作，適應(yīng)各種應(yīng)用場(chǎng)景。
　　6. 快速開關(guān)速度：由于輸入電容較小，器件具備快速的開關(guān)能力，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。

應(yīng)用

DMN5L06WK-7 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）：作為主功率開關(guān)管或同步整流管使用。
　　2. 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于控制小型直流電機(jī)的啟停、調(diào)速等操作。
　　3. LED 驅(qū)動(dòng)器：在恒流源電路中用作輸出級(jí)開關(guān)。
　　4. 電池管理：在保護(hù)電路中實(shí)現(xiàn)過流、短路保護(hù)等功能。
　　5. 負(fù)載開關(guān)：用于動(dòng)態(tài)地接通或斷開負(fù)載，降低待機(jī)功耗。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化：在各種傳感器接口、信號(hào)切換電路中發(fā)揮重要作用。

替代型號(hào)

DMN5L06WKT-7, DMN5020UFQ-7, PMV20EN

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dmn5l06wk-7參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C300mA
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C2 歐姆 @ 50mA，5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-70，SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-323
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DMN5L06WKDITR