DMN5L06VAK-7 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET 芯片。該器件采用先進的制程工藝,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,非常適合用于電源管�、電機驅動、負載開關以及其他需要高效能的電子應用中�
該器件的封裝形式� LFPAK88-8,這種封裝方式能夠提供良好的散熱性能和電氣連接特�,同時具備小型化�(yōu)勢,適合在空間受限的設計中使��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�21A
導通電阻(典型值)�3.5mΩ
柵極電荷�49nC
總電容:1220pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
DMN5L06VAK-7 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下減少功耗并提高效率�
2. 快速開關能�,支持高頻應用,有助于降低開關損��
3. 高額定電流和耐壓能力,適用于多種功率轉換場景�
4. 小型化的 LFPAK88-8 封裝,適合緊湊型設計�
5. 支持高溫運行�(huán)�,增強了器件的可靠性和耐用性�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
DMN5L06VAK-7 可廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的主開關或同步整流元��
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用作充放電控制和保護電路中的功率開��
3. 電機驅動器,特別是在無刷直流電機 (BLDC) 控制中作為功率級元件�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載開關和保護電路�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的高性能功率管理模塊�
6. 照明系統(tǒng)中的 LED 驅動器和�(diào)光控制器�
DMN5L06VAK-13, DMN5L06VSK-7