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DMN53D0L 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 14:19:52 查看 閱讀�22

DMN53D0L 是一� N 灃道� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� DMN 系列。它采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種高效能的電源管理應(yīng)用。該器件采用小型封裝�(shè)�,有助于減少電路板空間占用并提高系統(tǒng)集成度�
  DMN53D0L 的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的電氣性能和熱性能,使其能夠在高頻率和高效率的�(yīng)用場景中表現(xiàn)�(yōu)�。此�,它還具備良好的抗靜電能力,能夠適應(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)��

參數(shù)

類型:N 沖道� MOSFET
  最大漏源電�(VDS)�60V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  連續(xù)漏極電流(ID)�4.1A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�7mΩ (典型�,在 VGS=10V �)
  柵極電荷(Qg)�8nC (典型�)
  輸入電容(Ciss)�1030pF (典型�)
  總功�(Ptot)�1.2W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55� � +150�
  封裝形式:DFN2020-8

特�

DMN53D0L 提供了非常低的導(dǎo)通電� RDS(on),這使得它的傳�(dǎo)損耗更�,非常適合需要高效率的場��
  該器件支持高�(dá) 4.1A 的連續(xù)漏極電流,并且在高頻開關(guān)條件下表�(xiàn)出色,這對于現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換至�(guān)重要�
  采用 DFN2020-8 封裝,這種封裝方式不僅體積�,而且散熱性能�(yōu)�,�(jìn)一步提升了器件的可靠��
  另外,DMN53D0L 的靜�(tài)和動�(tài)參數(shù)�(jīng)過嚴(yán)格控制,確保其在不同工作條件下的�(wěn)定性與一致��
  由于其優(yōu)秀的電氣性能和緊湊的�(shè)計,這款 MOSFET 在便攜式電子�(chǎn)�、計算機(jī)外設(shè)以及通信�(shè)備等�(lǐng)域有著廣泛的�(yīng)用前景�

�(yīng)�

DMN53D0L 廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. 直流-直流(DC/DC)�(zhuǎn)換器,例如降壓或升壓�(zhuǎn)換器�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 電機(jī)�(qū)動器中的功率級開�(guān)�
  5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
  6. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切換和路由控制�
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效率特�(diǎn),DMN53D0L 在任何需要快速開�(guān)和低損耗的�(yīng)用中都能提供卓越的性能�

替代型號

DMN53D0U, DMN53D0T

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