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DMN52D0UVT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 8:47:56 查看 閱讀�33

DMN52D0UVT 是一款來(lái)� Diodes Incorporated � N 沃特 (N-Channel) 增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體� (MOSFET),采用邏輯電平柵極驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)。它適用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性。該器件采用 U-DFN2020-6 封裝形式,具有較小的尺寸和良好的散熱性能,適合空間受限的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:3.8A
  最大柵源電壓:±8V
  �(dǎo)通電阻(典型�,在 Vgs=4.5V �(shí)):16mΩ
  �(dǎo)通電阻(最大�,在 Vgs=4.5V �(shí)):20mΩ
  總功耗:0.7W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

DMN52D0UVT 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),在柵極電壓� 4.5V �(shí),典型值僅� 16mΩ,能夠有效減少傳�(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,降低開(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 邏輯電平�(qū)�(dòng)功能,使得其可以直接由標(biāo)�(zhǔn)邏輯信號(hào)或微控制器驅(qū)�(dòng),無(wú)需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
  4. 高雪崩能力和�(jiān)固�,確保在異常條件下也能可靠運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  6. 超小型封裝(U-DFN2020-6),節(jié)� PCB 空間,并具備良好的熱性能�

�(yīng)�

DMN52D0UVT 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流和初�(jí)�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電池保護(hù)電路�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
  4. 固態(tài)繼電器和其他需要高效功率控制的�(yīng)用�
  5. 手機(jī)充電�、適配器及便攜式�(shè)備中的功率管理單元�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)�(kāi)�(guān)元件�

替代型號(hào)

DMN52D0UFG, DMN52D0UHT

dmn52d0uvt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)