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DMN3731UFB4 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 1:00:49 查看 閱讀：18

DMN3731UFB4 是一款來(lái)自 Diodes 公司的 N 溝道邏輯增強(qiáng)型 MOSFET，采用 MicroFET 技術(shù)設(shè)計(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用以及負(fù)載開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。
　　其封裝形式為 U-DFN0603-2 (SOT839)，體積小巧，適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：3.1A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 時(shí)）
　　柵極電荷：1.8nC（典型值）
　　總電容：180pF（典型值，輸入電容）
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝形式：U-DFN0603-2 (SOT839)

特性

DMN3731UFB4 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和緊湊的封裝尺寸。這使其非常適合需要高效能和小空間的應(yīng)用。
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力減少了開(kāi)關(guān)損耗，從而提高了系統(tǒng)的整體性能。
　　3. 小型化封裝，便于在便攜式設(shè)備和其他對(duì)空間敏感的設(shè)計(jì)中使用。
　　4. 較寬的工作溫度范圍確保了其在極端條件下的可靠性。

應(yīng)用

該 MOSFET 常用于多種電源管理和信號(hào)切換場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
　　3. 電池供電設(shè)備中的保護(hù)電路。
　　4. LED 驅(qū)動(dòng)器中的開(kāi)關(guān)元件。
　　5. 各種消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。

替代型號(hào)

DMN3733UFB4, DMN3729UFB4

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