DMN3350LFB是Diodes公司生產(chǎn)的MOSFET器件,具體為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。該器件采用SOT-23封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力的特性,適用于各種便攜式�(shè)備、負載開�(guān)以及電源管理電路��
DMN3350LFB的工作電壓范圍廣,能夠承受較高的漏源極電壓,并且其小巧的封裝形式使其非常適合空間受限的應(yīng)用場��
最大漏源極電壓�-30V
漏極電流(連續(xù)):-1.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.17Ω
柵極電荷�1.6nC
工作溫度范圍�-55℃至150�
DMN3350LFB的主要特點是其低�(dǎo)通電阻和高效率性能。它的導(dǎo)通電阻在典型條件下僅�0.17歐姆,這使得它在開�(guān)�(yīng)用中能有效減少功率損��
此外,該器件的柵極電荷較小,有助于提高開�(guān)速度并降低開�(guān)損�。其工作溫度范圍寬廣,從-55攝氏度到150攝氏�,可以適�(yīng)多種�(huán)境條件下的應(yīng)用需求�
SOT-23封裝的小尺寸�(shè)計也使得該元件成為需要緊湊布局�(shè)計的理想選擇�
DMN3350LFB適合用于便攜式電子設(shè)備中的負載開�(guān)、電池供電系�(tǒng)中的電源管理、消費類電子�(chǎn)品中的電源切換等功能�
例如,在手機、平板電腦和其他手持�(shè)備中,該MOSFET可以用作高效的開�(guān)元件來控制不同的電源路徑或保護電路免受過流影響�
同時,由于其�(yōu)良的熱特性和電氣性能,也可以�(yīng)用于汽車電子�(lǐng)域的非關(guān)鍵性電路部分�
DMN3029LSD, DMN3354UFG