DMN32D4SDW 是一款 N 灃道晶體管(N-Channel MOSFET),由 Diodes 公司生產(chǎn)。該器件采用小型化的 SOT23 封裝,適用于需要高效率和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。其主要特點(diǎn)包括極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能,非常適合于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的應(yīng)用。
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流:2.9A
導(dǎo)通電阻:180mΩ
柵極電荷:4nC
開(kāi)關(guān)速度:快速
封裝類型:SOT23
DMN32D4SDW 是一種增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有非常低的導(dǎo)通電阻以減少功率損耗。
該器件的柵極閾值電壓范圍為 1V 至 2.5V,使得它能夠與低壓邏輯電路兼容。
其快速開(kāi)關(guān)性能和低寄生電容確保了在高頻應(yīng)用中的高效表現(xiàn)。
SOT23 封裝體積小,非常適合空間受限的設(shè)計(jì)需求。
此外,DMN32D4SDW 的高雪崩能量能力提高了系統(tǒng)的可靠性。
該晶體管廣泛應(yīng)用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池保護(hù)電路、背光驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
在便攜式電子產(chǎn)品中,如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦,可以用作電源管理的關(guān)鍵組件。
在工業(yè)領(lǐng)域,它可以用于各種控制和保護(hù)電路,例如傳感器接口和信號(hào)調(diào)節(jié)電路。
另外,由于其快速開(kāi)關(guān)性能,DMN32D4SDW 也適合于高頻 PWM 控制電路。
DMN30HMSL, DMN29DWS, BSS138