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DMN32D2LFB4 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:16:38 查看 閱讀�19

DMN32D2LFB4 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于�(duì)空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度特性使其成為消�(fèi)電子、通信�(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇�
  該器件的最大漏源電壓為 30V,能夠提供高�(dá) 5.1A 的連續(xù)漏極電流(在特定�(jié)溫條件下�。同�(shí),它具有非常低的�(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�5.1A(Tc=25°C�
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):85mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷�7nC(典型值)
  輸入電容�115pF(典型值)
  總功耗:560mW(Tc=25°C�
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝類型:SOT-23

特�

1. 超低�(dǎo)通電阻:DMN32D2LFB4 � Vgs=10V �(shí)的導(dǎo)通電阻僅� 85mΩ,顯著降低了�(dǎo)通損�,提升了整體效率�
  2. 高電流能力:� Tc=25°C 條件�,該器件支持高達(dá) 5.1A 的連續(xù)漏極電流,滿足多種功率轉(zhuǎn)換需��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于其較低的柵極電荷和輸入電容,DMN32D2LFB4 可以�(shí)�(xiàn)快速的�(kāi)�(guān)切換,減少了�(kāi)�(guān)損��
  4. 緊湊封裝:采� SOT-23 封裝,體積小巧,適合用于 PCB 空間有限的應(yīng)用場(chǎng)��
  5. 寬工作溫度范圍:支持 -55°C � +150°C 的結(jié)溫范�,確保了器件在極端環(huán)境下的可靠運(yùn)��

�(yīng)�

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替代型號(hào)

DMN299DUJE-13、BSS138、AO3400

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